Reduction of Switching Losses in IGBT Power Modules

Lo scopo di questo lavoro è quello di studiare diverse strategie di ottimizzazione per pilotare IGBT e proporre una nuova tecnica. In applicazioni di potenza una particolare attenzione deve essere posta per fenomeni come le perdite di commutazione , sovracorrenti in accensione e sovratensione allo spegnimento dei dispositivi . Questi fenomeni sono intrinsecamente connessi all'evoluzione di parametri quali la tensione e la corrente di collettore di ciascun dispositivo durante il processo di commutazione. Profili ripidi di corrente possono causare interferenze elettromagnetiche (EMI) e sovratensioni, mentre rapide variazioni della tensione possono produrre fenomeni di 'latch-up' in ogni singolo IGBT o commutazioni indesiderate. D'altra parte, commutazioni lente sono caratterizzate da bassi valori di dv/dt e di/dt , causando perdite eccessive specialmente nelle applicazioni di potenza. Pertanto, per affrontare il problema in fase di progettazione avendo esigenze contrastanti è essenziale trovare una buona soluzione di compromesso.

Grantor dc:publisher

Università degli studi di Catania

Year dc:date

2014

Author dc:creator

• SIGNORELLO, CONCETTA

Contributors dc:contributor

• CACCIATO, MARIO
• MARLETTA, Luigi

• IGBT, Energy Losses, Driving Technique, Gate Drive, Energy Efficiency

Statement dc:rights

• info:eu-repo/semantics/openAccess
• license:PUBBLICO - Pubblico con Copyright
• license uri:iris.PUB02

Language dc:language

eng

Handle dc:identifier

https://hdl.handle.net/20.500.11769/585781

OAI identifier oai:identifier

oai:www.iris.unict.it:20.500.11769/585781