Reduction of Switching Losses in IGBT Power Modules
Lo scopo di questo lavoro è quello di studiare diverse strategie di ottimizzazione per pilotare IGBT e proporre una nuova tecnica. In applicazioni di potenza una particolare attenzione deve essere posta per fenomeni come le perdite di commutazione , sovracorrenti in accensione e sovratensione allo spegnimento dei dispositivi . Questi fenomeni sono intrinsecamente connessi all'evoluzione di parametri quali la tensione e la corrente di collettore di ciascun dispositivo durante il processo di commutazione. Profili ripidi di corrente possono causare interferenze elettromagnetiche (EMI) e sovratensioni, mentre rapide variazioni della tensione possono produrre fenomeni di 'latch-up' in ogni singolo IGBT o commutazioni indesiderate. D'altra parte, commutazioni lente sono caratterizzate da bassi valori di dv/dt e di/dt , causando perdite eccessive specialmente nelle applicazioni di potenza. Pertanto, per affrontare il problema in fase di progettazione avendo esigenze contrastanti è essenziale trovare una buona soluzione di compromesso.
IGBT, Energy Losses, Driving Technique, Gate Drive, Energy Efficiency
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