Diseño y metodologías de validación en sistemas microeléctrónicos tolerantes a fallas inducidas por radiación

El presente trabajo de investigación aborda la problemática del daño por radiación en disposi- tivos, ciruitos y sistemas microelectrónicos, situación que se presenta habitualmente cuando los mismos son utilizados en aplicaciones espaciales o nucleares. Durante el desarrollo de la tesis se propone una metodología integrada por diferentes técnicas de diseño que permiten incrementar la tolerancia a este tipo de fallas en los sistemas. Asimismo, se detallan los ensayos de radiación realizados para validar la metodología y las contribuciones aportadas en dichos procedimientos. El material presentado se articula en dos partes, dividiéndose el mismo en función del tipo de fenómeno con el que se pueden asociar los distintos tipos de fallas inducidas por radiación. En la primera parte se presenta el problema de daño acumulativo, mientras que en la segunda se trata el problema de errores producidos por fallas transitorias. En ambas partes se introduce primero la problemática, para luego pasar a detallar lo realizado paracombatir sus efectos y finalmente describir los procedimientos de validación experimental. Temas como tecnología CMOS, entorno de radiación espacial y metodología de seleción de partes para misiones espaciales han sido incor- porados en apéndices, a modo de referencia. La validez de la metodología propuesta se encuentra respaldada con la fabricaión de más de seis ciruitos integrados, donde las implementaciones físicas de los diseños fueron realizadas en diversas tecnologías modernas utilizando las técnicas propuestas. Los resultados experimentales fueron obtenidos durante la realización de diversos ensayos de irradiación en aceleradores de partículas con iones pesados y protones de alta energía.

Author dc:creator

• Sondón, Santiago M.

Advisors dc:contributor.advisor

• Mandolesi, Pablo Sergio
• Palumbo, Félix

• Ingeniería
• Microelectrónica
• Endurecimiento contra radiación
• Biblioteca de celdas estándar
• Microhaz
• Iones pesados
• ASIC

Statement dc:rights

• Liberar contenido de archivos para acceso público.

Language dc:language.iso

spa

Dc Identifier Other

2014-1311

OAI identifier oai:identifier

oai:repositorio.bc.uns.edu.ar:123456789/452