Modelli di rumore di dispositivi elettronici a semiconduttore

Questo lavoro è suddiviso sostanzialmente in due parti: nella prima vengono ricavate le espressioni dello spettro delle sorgenti microscopiche di rumore a partire dall'applicazione microscopica della meccanica statistica alle transizioni elementari responsabili delle fluttuazioni stesse, e viene introdotta in modo generale la tecnica di funzione di Green effettuando la connessione con il classico metodo del campo di impedenza introdotto da Shockley (Cap. 2). Nella seconda parte, si prende in considerazione il caso di un generico dispositivo a semiconduttore e si sviluppa una tecnica numerica in grado di valutare in modo efficiente la funzione di Green nel caso di un componente elettronico che lavori in condizione di regime stazionario e che sia descritto da un modello a equazioni differenziali a derivate parziali. Tale metodo numerico è stato implementato, per il caso del modello di trasporto drift-diffusion, nell'ambito del simulatore "general purpose" PADRE degli AT&T Bell Laboratories di Murray Hill, New Jersey, che è in grado di analizzare le caratteristiche elettriche di un generico dispositivo a omo- e eterostruttura avente un numero di contatti arbitrario (Cap. 3). Il Cap. 4, infine, è dedicato alla presentazione dei risultati ottenuti dalla simulazione delle proprietà di rumore di diversi dispositivi elettronici a semiconduttore, confrontandoli con risultati teorici e con altri modelli.

Grantor dc:publisher

Politecnico di Torino

Year dc:date

1992

Author dc:creator

• BONANI, Fabrizio

• Settore ING-INF/01 - Elettronica

Statement dc:rights

• info:eu-repo/semantics/openAccess
• license:Creative commons
• license uri:http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/it/

Language dc:language

ita

Identifier

10.6092/polito/porto/2501525

OAI identifier oai:identifier

oai:iris.polito.it:11583/2501525