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Nella seconda parte, si prende in considerazione il caso di un generico dispositivo a semiconduttore e si sviluppa una tecnica numerica in grado di valutare in modo efficiente la funzione di Green nel caso di un componente elettronico che lavori in condizione di regime stazionario e che sia descritto da un modello a equazioni differenziali a derivate parziali. Tale metodo numerico è stato implementato, per il caso del modello di trasporto drift-diffusion, nell'ambito del simulatore \"general purpose\" PADRE degli AT&T Bell Laboratories di Murray Hill, New Jersey, che è in grado di analizzare le caratteristiche elettriche di un generico dispositivo a omo- e eterostruttura avente un numero di contatti arbitrario (Cap. 3). Il Cap. 4, infine, è dedicato alla presentazione dei risultati ottenuti dalla simulazione delle proprietà di rumore di diversi dispositivi elettronici a semiconduttore, confrontandoli con risultati teorici e con altri modelli.","abstract_html":"Questo lavoro è suddiviso sostanzialmente in due parti: nella prima vengono ricavate le espressioni dello spettro delle sorgenti microscopiche di rumore a partire dall'applicazione microscopica della meccanica statistica alle transizioni elementari responsabili delle fluttuazioni stesse, e viene introdotta in modo generale la tecnica di funzione di Green effettuando la connessione con il classico metodo del campo di impedenza introdotto da Shockley (Cap. 2). 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