Abscheidung und Zersetzung von Selten-Erd-Oxid-Precursorn auf der H-terminierten Si(111)- und der SiO 2 -Oberfläche

In der Arbeit wurden bekannte Verfahren zur nasschemischen Präparation der H-terminierten Si(111)-Oberfläche und zur Präparation der Si(111)-7x7-Rekonstruktion im Ultrahochvakuum erfolgreich reproduziert. Eine Precursorlösung wurde über die Applikationsmethoden "drop-cast", "dip-coating" und "liquid-injection-precursor-deposition" auf die H-terminierte Si(111)- und die SiO2-Oberfläche dosiert. Über definiertes Heizen der Probe im UHV und auch unter Schutzgas fand eine Thermolyse des Precursors statt, sodass eine dünne Schicht aus La2O3 auf der Oberfläche zurück blieb. Diese Schicht wurden mit den Methoden der Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS), der Rastertunnel- und der Rasterkraftmikroskopie sowie der Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Über XPS wurden Hinweise auf die Bildung einer Zwischenschicht zwischen dem Substrat und dem La2O3 gefunden. Über winkelabhängige XPS-Messungen konnte die Dicke der abgeschiedenen Schicht bestimmt werden. Die Präparation einer TEM-Lamelle mit Hilfe des fokussierten Ionenstrahls und der "ex-situ lift-out" der Lamelle wird beschrieben.

Level thesis:degree_level

thesis.doctoral

Grantor dc:publisher

Universität Oldenburg

Year

2009

Author dc:creator

• Schnars, Hanno

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