Étude des couches minces de VO₂ et de W-VO₂ dopées par une nouvelle méthode

"Le VO₂ est un matériau qui subit une transition d'une structure semi-conductrice à une structure métallique (TMI) à une température de 68°C. Le dopage du VO₂ avec du tungstène est reconnu pour son efficacité à baisser la température de transition. Dans cet ouvrage, on développe une nouvelle méthode de dopage pour des couches mince de VO₂ créées par la méthode pulvérisation-oxydation. La méthode consiste à déposer une couche mince du dopant directement sur une fraction de la surface de la cible. On étudie ensuite les propriétés électriques et optiques des couches déposées par cette méthode ainsi que celles des couches non-dopées. Les résultats montrent une légère diminution dans la température de transition malgré un épuisement rapide du dopant dans les résultats électriques pour des couches 50nm. De plus, une augmentation de la résistance carrée est observée dans les couches déposées par la méthode pulvérisation-oxydation avant et après un cycle de chauffage soit effectué pour induire le TMI."--Résumé.

Name thesis:degree_name

Maîtrise ès sciences (physique)

Level thesis:degree_level

2e cycle

Discipline thesis:degree_discipline

Faculté des sciences

Grantor dc:publisher

Université de Moncton

Year dc:date.issued

2016

Author dc:creator

• Savoie, Marc

Advisor dc:contributor.advisor

• Ashrit, Pandurang V.

• Couches minces métalliques
• Propriétés thermiques
• Vanadium
• Oxydes de tungstène
• Métaux de transition
• Couches minces
• Propriétés électriques
• Propriétés optiques

Statement dc:rights

• Author

Language dc:language.iso

iso639-2b, fre

Dc Identifier Other

umir:1604

OAI identifier oai:identifier

oai:umoncton.scholaris.ca:20.500.14658/7853