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On étudie ensuite les propriétés électriques et optiques des couches déposées par cette méthode ainsi que celles des couches non-dopées. Les résultats montrent une légère diminution dans la température de transition malgré un épuisement rapide du dopant dans les résultats électriques pour des couches 50nm. De plus, une augmentation de la résistance carrée est observée dans les couches déposées par la méthode pulvérisation-oxydation avant et après un cycle de chauffage soit effectué pour induire le TMI."--Résumé.","abstract_html":""Le VO₂ est un matériau qui subit une transition d'une structure semi-conductrice à une structure métallique (TMI) à une température de 68°C. Le dopage du VO₂ avec du tungstène est reconnu pour son efficacité à baisser la température de transition. Dans cet ouvrage, on développe une nouvelle méthode de dopage pour des couches mince de VO₂ créées par la méthode pulvérisation-oxydation. 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