Modélisation du comportement non-linéaire de transistors hyperfréquences avec polynômes multivariées optimisés par essaims particulaires

"Considérant les coûts élevés des processus de fabrication modernes, la simulation est une étape indispensable à la conception de circuits intégrés à base de semiconducteurs. L’exactitude des résultats de simulation dépend directement de l’exactitude des modèles mathématiques de chaque élément du circuit, incluant les éléments de base tel le transistor. Quoique le transistor représente la base des circuits intégrés, son comportement n’a rien de simple. Dû à la complexité du mouvement des charges à l’intérieur d’un transistor, il existe un grand nombre de différents modèles mathématiques pour cet élément dans la littérature. Ces modèles sont souvent limités à des zones de fonctionnement locaux, et ils peuvent être très complexes. Les nouvelles technologies de fabrication des transistors ont aussi fait apparaître des comportements beaucoup plus non-linéaires au niveau du fonctionnement des transistors. Les modèles classiques ne s’adaptent pas très bien à ces non-linéarités puisqu’ils ont été construits à partir de mesures linéaires. De plus, des avancements technologiques récents en instrumentation hyperfréquences ont rendu possible la mesure du comportement non-linéaire des transistors. Cette thèse propose donc une nouvelle approche de modélisation basée sur le comportement non-linéaire du transistor hyperfréquences dans le domaine du temps. En utilisant l’optimisation par essaims particulaires, une technique d’optimisation stochastique qui a récemment pris de l’ampleur dans la communauté de recherche, et en l’appliquant à un système dynamique sous forme d’approximation polynômiale, il est possible de modéliser la dynamique non-linéaire d’un système. Un transistor hyperfréquences de type pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) en GaAs a été modélisé avec cette nouvelle approche. Les résultats obtenus montrent que le modèle a bien appris la dynamique du système et est capable de modéliser le comportement non-linéaire. Des difficultés se sont présentées au niveau de la représentation du fonctionnement à courant-continu du tranistor." -- sommaire

Name thesis:degree_name

Maîtrise ès sciences appliquées

Level thesis:degree_level

2e cycle

Discipline thesis:degree_discipline

Faculté d'ingénierie

Grantor dc:publisher

Université de Moncton,

Year dc:date.issued

2019

Author dc:creator

• Boudreau, Natalie

Advisor dc:contributor.advisor

• Cormier, Gabriel

• Transistors hyperfréquences
• Modèles mathématiques
• Transistors HEMT
• Arséniure de gallium
• Circuits transistorisés
• Optimisation par essaims particuliers
• Modèles stochastiques d'apprentissage

Statement dc:rights

• Author

Language dc:language.iso

iso639-2b, fre

Dc Identifier Other

umir:1710

OAI identifier oai:identifier

oai:umoncton.scholaris.ca:20.500.14658/7367