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Dû à la complexité du mouvement des charges à l’intérieur d’un transistor, il existe un grand nombre de différents modèles mathématiques pour cet élément dans la littérature. Ces modèles sont souvent limités à des zones de fonctionnement locaux, et ils peuvent être très complexes. Les nouvelles technologies de fabrication des transistors ont aussi fait apparaître des comportements beaucoup plus non-linéaires au niveau du fonctionnement des transistors. Les modèles classiques ne s’adaptent pas très bien à ces non-linéarités puisqu’ils ont été construits à partir de mesures linéaires. De plus, des avancements technologiques récents en instrumentation hyperfréquences ont rendu possible la mesure du comportement non-linéaire des transistors. Cette thèse propose donc une nouvelle approche de modélisation basée sur le comportement non-linéaire du transistor hyperfréquences dans le domaine du temps. En utilisant l’optimisation par essaims particulaires, une technique d’optimisation stochastique qui a récemment pris de l’ampleur dans la communauté de recherche, et en l’appliquant à un système dynamique sous forme d’approximation polynômiale, il est possible de modéliser la dynamique non-linéaire d’un système. Un transistor hyperfréquences de type pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) en GaAs a été modélisé avec cette nouvelle approche. Les résultats obtenus montrent que le modèle a bien appris la dynamique du système et est capable de modéliser le comportement non-linéaire. Des difficultés se sont présentées au niveau de la représentation du fonctionnement à courant-continu du tranistor." -- sommaire","abstract_html":""Considérant les coûts élevés des processus de fabrication modernes, la simulation est une étape indispensable à la conception de circuits intégrés à base de semiconducteurs. 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