Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN Leuchtdioden

In dieser Arbeit wurden die beiden wichtigsten Komponenten von (AlGaIn)N-basierenden Leuchtdioden untersucht, die einen wesentlichen Einfluss auf die externe Leistungseffizienz der Leuchtdioden haben: die elektrischen und optischen Eigenschaften des p-Kontakts sowie die Lumineszenzeffizienz der als aktiven Bereich verwendeten InGaN-Quantenfilme. Ersterer bestimmt sowohl die für das Einprägen eines bestimmten Injektionsstroms erforderliche Spannung als auch durch seine optischen Eigenschaften die Effizienz der Lichtauskopplung aus der Leuchtdiode. Zur Realisierung von ohmschen p-Kontakten auf GaN:Mg-Schichten wurden transparente ITO-Kontakte verwendet. Durch die Verwendung einer In-reichen Zwischenschicht zwischen den ITO-Kontakten und der GaN:Mg-p-Kontaktschicht reduziert sich die effektive Höhe der Schottky-Barriere, wodurch die p-Kontaktwiderstände und damit die Betriebsspannungen der Leuchtdioden deutlich reduziert werden konnten. <br> <br>Die Lichtleistung bei einer Emissionswellenlänge von 400 nm wird durch nichtstrahlende Rekombination der Ladungsträger an Schrauben-, Stufen- und gemischte Versetzungen limitiert. Bezüglich der Ladungsträgerinjektion in den aktiven Bereich hat sich das Mg-Dotierprofil als ein sehr wesentlicher und kritischer Parameter herausgestellt. Das Mg-Dotierprofil wird beim Schichtwachstum sowohl durch Segregationseffekte als auch durch temperaturabhängige Rückdiffusionsprozesse beeinflusst.

Author dc:creator

• Stephan, Thilo

Contributors dc:contributor

• Wagner, Joachim

• InGaN
• Mg Diffusion
• nichtstrahlende Rekombination
• non-radiative recombination

Repository record source_url

https://freidok.uni-freiburg.de/data/1104

OAI identifier oai:identifier

oai:freidok.uni-freiburg.de:1104