Entwicklung von GaInP-GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern

Riepe, Klaus J.

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Mainz, Wissenschaftsverl

Entwicklung von GaInP-GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern

dc:creator Riepe, Klaus J.

dc:date1997

Degree

thesis:*

Grantor dc:publisher: Mainz, Wissenschaftsverl
Year dc:date: 1997

Author and committee

dc:creator, dc:contributor.*

Author dc:creator: Riepe, Klaus J.

Rights

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Statement dc:rights: info:eu-repo/semantics/closedAccess
Language dc:language: ger

Identifiers

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Identifier: https://publications.rwth-aachen.de/search?p=id:%22RWTH-CONV-116586%22
OAI record oai:identifier: https://publications.rwth-aachen.de/oai2d?verb=GetRecord&metadataPrefix=oai_dc&identifier=oai%3Apublications.rwth-aachen.de%3A54431

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Last updated: 2026-07-30
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1997

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Riepe, Klaus J.. Entwicklung von GaInP-GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern. Mainz, Wissenschaftsverl, 1997. https://publications.rwth-aachen.de/record/54431

Entwicklung von GaInP-GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern

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