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Results
Showing 1 to 20 of 29 for “"Heterostruktur"”.
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Analýza GMR heterostruktur metodou SIMS
Studium vlivu depozičních parametrů na GMR heterostruktury metodou SIMS.
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Amorphe Siliziumoxidschichten zur Oberflächenpassivierung und Kontaktierung von Heterostruktur-Solarzellen aus amorphem und kristallinem Silizium
Atomic hydrogen plays a dominant role in the passivation of crystalline silicon surfaces by layers of amorphous silicon. In order to research into this role, this thesis presents the method of hydrogen effusion from thin amorphous films of silicon (a-Si:H) and silicon oxide (a-SiOx:H). The oxygen …
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Einfluss des Heterostrukturdesigns auf die Effizienz und die optische Polarisation von (In)AlGaN-basierten Leuchtdioden im ultravioletten Spektralbereich
In dieser Arbeit wird der Einfluss des Heterostrukturdesigns auf die externe Quanteneffizienz (EQE) von ultravioletten (UV) Leuchtdioden (LEDs) untersucht. Durch Simulationen der LED-Heterostruktur in Kombination mit Elektrolumineszenzmessungen an 320nm LEDs konnte eine gezielte Verbesserung der …
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Akustoelektrischer Strom durch lateral definierte Quantenpunktkontakte
… Quantenpunktkontakte auf einer GaAs/AlGaAs Heterostruktur durchgef¨uhrt. Hauptfokus der Untersuchungen bezieht sich auf den akustischen Einzelelektronentransport durch die Quantenpunktkontaktstruktur. Ein Potential eines im Abschnuerbereich betriebenen Quantenpunktkontakts kann durch das …
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Electronic Properties of ALD Zinc Oxide Interfaces and its Implication for Chalcopyrite Absorber Materials
… Eigenschaften der CuInSe2|ZnIn2Se4|ZnO Heterostruktur und liefert ein detailliertes Bild der elektronischen Bandanpassung an den jeweiligen Grenzflächen. Zudem wird in dieser Arbeit ein neuer wasserfreier ALD Prozess zur ZnO Abscheidung mittels Diethylzink (DEZn) und molekularem …
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Design, Epitaxie und Charakterisierung AlGaN-basierter Leuchtdioden mit Emissionswellenlängen unterhalb von 250 nm
… durchzuführen. Die LED-Heterostruktur wurde mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie hergestellt und die einzelnen Schichten auf ihren Einfluss auf die Effizienz der LEDs systematisch untersucht. Als Basis für das Wachstum der LED-Heterostrukturen wurde epitaktisch …
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Entwicklung von optisch pumpbaren UVC-Lasern auf AlGaN-Basis
… Aspekte des epitaktischen Wachstums und des Heterostrukturdesigns auf optisch gepumpte AlGaN-Laser mit Emissionswellenlängen im Bereich von 240 nm untersucht. Dabei wurden neue Erkenntnisse über elektrische und optische Verlustmechanismen gewonnen, die über den konkreten Anwendungsfall hinaus …
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Organische Feldeffekt-Transistoren: Modellierung und Simulation
… eines ambipolaren organischen Heterostruktur-TFTs mit experimentellen Daten verglichen.
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Andreev-Streuung, Josephson-Bloch-Oszillationen und Zener-Tunneln in Heterokontakten aus Normal- und Supraleitern
… wird durch eine supraleitend/halbleitende Heterostruktur modelliert, deren Parameter-Werte sich an den Experimenten der Gruppe von Herbert Kroemer in Santa Barbara orientieren. Wenn die supraleitenden Bereiche ohne normalleitende Zuleitungen direkt mit einem Reservoir von Cooperpaaren …
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Epitaxial nanolayers of large organic molecules
… vorliegenden Arbeit stellen organisch-organische Heterostrukturen bestehend aus QT-HBC Schichten auf Au(111) dar. Im Zusammenhang mit der Untersuchung dieser Schichten sollte geklärt werden, ob der kürzlich gefundene Epitaxytyp line-on-line das Wachstum organisch-organischer Heterostrukturen …
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Prozessierung und elektrische Charakterisierung von ZnSe Heterostrukturen in verschiedenen Messgeometrien zum eindeutigen Nachweis der elektrischen Spininjektion
2-Punkt Transportmessungen, die in der Vergangenheit an ZnSe-basierenden DMS/NMS/DMS Multischichtsystemem durchgeführt wurden, zeigten eine 25-prozentige Erhöhung des Widerstandes beim Übergang vom unpolarisierten in den polarisierten Zustand des DMS. Dieser Magnetowiderstandseffekt wurde durch …
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Technology and characterization of GaN-based heterostructure field effect transistors (HFETs)
Heterostructure field effect transistors (HFETs) on the basis of Group III nitrides are increasingly gaining importance for the application as RF power amplifier devices. A common feature of the layer structure of such transistors is a GaN buffer which is usually deposited on non-native substrates, …
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Fabrication and characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
The task of this work was to fabricate and characterize AlGaN/GaN HEMTs on sapphire and silicon substrates. For this reason the HEMT fabrication technology had to be developed and optimized on AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire and silicon substrates. The optimization of AlGaN/GaN …
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