Ab-initio-Berechnung der (100) Oberfläche von III-V Halbleitern : Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen

Engels, Benedikt

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RWTH Aachen University

Ab-initio-Berechnung der (100) Oberfläche von III-V Halbleitern : Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen

dc:creator Engels, Benedikt

dc:date1996

Author and committee

dc:creator, dc:contributor.*

Author dc:creator: Engels, Benedikt
Contributors dc:contributor: Schroeder, K. W.
Dederichs, P. H.

Subjects

dc:subject × 1

info:eu-repo/classification/ddc/530

Rights

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Statement dc:rights: info:eu-repo/semantics/openAccess
Language dc:language: ger

Identifiers

dc:identifier.*

Identifier: https://publications.rwth-aachen.de/search?p=id:%22RWTH-CONV-115931%22
OAI record oai:identifier: https://publications.rwth-aachen.de/oai2d?verb=GetRecord&metadataPrefix=oai_dc&identifier=oai%3Apublications.rwth-aachen.de%3A53765

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Harvested from: RWTH Aachen University
Base URL: publications.rwth-aachen.de/oai2d
Last updated: 2026-07-30
Source record: OAI-PMH GetRecord

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Engels, Benedikt. Ab-initio-Berechnung der (100) Oberfläche von III-V Halbleitern : Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen. 1996. https://publications.rwth-aachen.de/record/53765

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