Atomic vapor depositions of metal insulator metal capacitors : investigation, development and integration

Metall-Isolator-Metall (MIM) Kondensatoren gehören zu den wichtigsten passiven Komponenten in Hochfrequenzbauelementen und Schaltkreisen für Analog/Mischsignale. Unabhängig von der Anwendung beanspruchen MIM-Kondensatoren bis zu 50 % der Chipfläche. Dies unterstützt maßgeblich die Chipfläche zu reduzieren, die stark die Kosten aber auch die Funktionalität und Leistung des Chip bestimmt. Eine Steigerung der Kapazität pro Fläche (Kapazitätsdichte) ist aus diesem Grund der Schwerpunkt bei der weiteren analogen Skalierung von Bauelementen. Weil die Kapazität eine direkte Funktion der Dielektrizitätskonstante des Isolators ist, ist das Ersetzen des gegenwärtig genutzten Siliziumoxid oder Siliziumnitrid durch alternative Dielektrika mit höheren Dielektrizitätskonstanten ein vielversprechender Ansatz. Die vorliegende Arbeit ist hauptsächlich auf die Präparation und Charakterisierung solcher alternativer Dielektrika, wie HfO2, Sr-Ta-O und Ti-Ta-O sowie dazugehöriger TiN -elektroden gerichtet. Die durchgeführten Untersuchungen zeigten, dass diese Dielektrika aussichtsreiche Materialien für zukünftige siliziumbasierte Technologien darstellen können.

Level thesis:degree_level

thesis.doctoral

Grantor dc:publisher

Universität Oldenburg

Year

2010

Author dc:creator

• Lukosius, Mindaugas

• MIM , Capacitor , AVD , high-k , dielectrics

Repository record source_url

http://oops.uni-oldenburg.de/949

OAI identifier oai:identifier

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