Persistente Photoleitfähigkeit indünnen GaN- und AlGaN-Schichten

Galliumnitrid (GaN) wird In den nächsten Jahren Im Bereich optoelektronischer Anwendungen das dominierende Materialsystem für Bauteile wie Leuchtdioden und Halbleiterlaserdioden kurzwelligen (blau bis ultraviolett) sein. Rahmen dieser Arbeit untersuche ich Phänomen der persistenten Photoleitfähigkeit (PPC) GaN. Effekt zeigt sich GaN bei Beleuchtung mit Licht unterhalb Bandlückenenergie. die elektrische Leitfähigkeit steigt unter an bleibt nach Beendigung Lichtanregung extrem lange Zeiten bestehen. optische Anregbarkeit Subbandgap-Licht langen sind ein Hinweis auf tiefe metastabile Defekte Bandlücke von Ziel vorliegenden ist Es verantwortlichen Defekt zu identifizieren. werde insbesondere Sauerstoff als vermutlich PPC relevante Verunreinigung diskutieren. über energetische Charakterisierung physikalischen Mechanismus Metastabilität erklären mikroskopischen Potentialfluktationen begründet liegt. räumliche Lokalisierung des Defektes daß substratnahen GaN- Schicht eine besondere Bedeutung zukommt Erklärung Potentialfluktuationen. handelt um einen defektreichen mechanisch verspannten Probe hauptsächlich hervorgerufen durch Wachstumsfehler. einem Probenvergleich Wege aufzeigen reduziert oder vielleicht sogar verhindert werden kann.

Level thesis:degree_level

thesis.doctoral

Grantor dc:publisher

Universität Oldenburg

Year

1999

Author dc:creator

• Seifert, Oliver

• [Keine Schlagwörter von Autor/in vergeben.]

Repository record source_url

http://oops.uni-oldenburg.de/434

OAI identifier oai:identifier

oai:oops.uni-oldenburg.de:434