Reversible Relaxationsphänomene imelektrischen Transport von Cu(In,Ga)Se2

Untersucht werden reversible Relaxationsphänomene Mit großen Relaxationszeiten (einige Stunden bei 300K) im elektrischen Transport von p-leitenden CIGS- Schichten und ZnO/CdS/CIGS-Solarzellen. ein wichtiger Effekt ist die Voc-Relaxation der Zellen d.h. langsame Anstieg Leerlaufspannung (Voc) unter konstanter Beleuchtung. Phänomene auf eine gemeinsame Ursache zurückgeführt nämlich große Gitterrelaxation CIGS zum persistenten Einfang Überschusselektronen führt. in den führt dies zu persistenter Photoleitung. Raumladungszone (RLZ) stellen gefangenen Elektronen zusätzliche Raumladung dar. Es wird quantitatives Modell entwickelt das Konsequenzen einer solchen Zusatzladung vorhersagt. diesem Verbindung zwischen Relaxationsphänomenen quantitativ bestätigt. Außerdem zeigt sich dass Volumenrekombination RLZ dominante Verlustpfad ist.

Level thesis:degree_level

thesis.doctoral

Grantor dc:publisher

Universität Oldenburg

Year

1999

Author dc:creator

• Meyer, Thorsten

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