Dotierung von amorphen Kohlenwasserstoffschichten

In einer rechnergesteuerten PECVD-Anlage sind Schichten aus a-C:H bei Variation der zugesetzten Dotiergase wie auch der Selfbiasspannung hergestellt worden. Durch beide Variationen kann die Leitfähigkeit bei Raumtemperatur im Bereich zwischen 10 -12 und 10 -3 1/Omegacm gesteigert werden. Streng korreliert und reziprok dazu verhält sich die optische Bandlücke im Bereich 0,6 bis 1,6 eV. NMR-Messungen zeigen, daß die Steigerung der elektrischen Leitfähigkeit mit einer Steigerung des sp 2 nH -Anteils in den Schichten einher geht. Dies steht in Übereinstimmung mit dem Strukturmodell: die Steigerung der elektrischen Leitfähigkeit entspricht einer Zunahme der leitfähigen, sp 2 -koordinierten Cluster in einer isolierenden sp 3 -Matrix. Alle Meßergebnisse zeigen die Parallelität der Variation von Selfbiasspannung und Dotiergasflusses, sodaß der Einfluß der Dotiergase in der Veränderung der Plasmabedingungen bei der Herstellung und nicht in dem Einbau der Fremdstoffe in das Material gesehen werden muß.

Level thesis:degree_level

thesis.doctoral

Grantor dc:publisher

Universität Oldenburg

Year

2000

Author dc:creator

• Rubarth, Boris

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