{"id":{"repo_id":"upm","oai_identifier":"oai:oa.upm.es:322"},"canonical_url":"https://search.dev.ndltd.org/etd/upm/oai:oa.upm.es:322","repository":{"repo_id":"upm","name":"Universidad Politécnica de Madrid","base_url":"https://oa.upm.es/cgi/oai2"},"display":{"title":"Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs(N)/GaAs","abstract":"El trabajo realizado es una contribución al desarrollo de diodos láser de pozo cuántico de InGaAs/GaAs(111)B para emisión en 1.06 -1.1 micras y de GaInNAs/GaAs para la región de 1.3 -1.55 micras. Se presenta un detallado estudio teórico que incluye el cálculo de la estructura de bandas y la ganancia material de los mencionados pozos cuánticos. En el cso del InGaAs, se demuestra emisión láser a temperatura ambiente hasta 1.11 micras y demuestra que el campo piezélectrico está sólo parcialmente apantallado en umbral . También se calcula por primera vez la renormalización del gap en estos dispositivos , resultados ser mayor que en el caso equivalente en substrato convencional (100). En cuanto al GalnNas, además de analizar de forma teórica los cambios que el N produce en la estructura de bandas y la ganancia del material , se realiza un estudio óptico y estructural de pozos cuánticos que permite relacionar el fenómeno de la localización de portadores con la morfología del pozo , así como aclarar el efecto de los tratamientos térmicos en la fotoluminiscencia. Se utilizan diodos electroluminiscentes para demostrar el enorme impacto de la recombinación no-radiativa y finalmente se demuestra emisión láser hasta 1.52 micras con valores record de densidd de corriente umbral.","abstract_html":"El trabajo realizado es una contribución al desarrollo de diodos láser de pozo cuántico de InGaAs/GaAs(111)B para emisión en 1.06 -1.1 micras y de GaInNAs/GaAs para la región de 1.3 -1.55 micras. Se presenta un detallado estudio teórico que incluye el cálculo de la estructura de bandas y la ganancia material de los mencionados pozos cuánticos. En el cso del InGaAs, se demuestra emisión láser a temperatura ambiente hasta 1.11 micras y demuestra que el campo piezélectrico está sólo parcialmente apantallado en umbral . También se calcula por primera vez la renormalización del gap en estos dispositivos , resultados ser mayor que en el caso equivalente en substrato convencional (100). En cuanto al GalnNas, además de analizar de forma teórica los cambios que el N produce en la estructura de bandas y la ganancia del material , se realiza un estudio óptico y estructural de pozos cuánticos que permite relacionar el fenómeno de la localización de portadores con la morfología del pozo , así como aclarar el efecto de los tratamientos térmicos en la fotoluminiscencia. Se utilizan diodos electroluminiscentes para demostrar el enorme impacto de la recombinación no-radiativa y finalmente se demuestra emisión láser hasta 1.52 micras con valores record de densidd de corriente umbral.","abstract_has_math":false,"creators":["Ulloa Herrero, José María"],"institution":"Telecomunicacion","degree_name":"phd","degree_level":"doctoral","degree_discipline":null,"degree_department":null,"school":null,"contributors":[],"advisors":[],"committee_chairs":[],"committee_members":[],"year":2004,"date_issued":"2004-11","date_published":"2004-11","updated_at":"2026-07-24T05:39:53Z","subjects":["Física"],"languages":["es"],"rights":["by-nc-nd"],"rights_urls":[],"identifier_entries":[]},"links":{"outbound_url":"https://doi.org/10.20868/UPM.thesis.322","outbound_label":"DOI","outbound_source":"dc:identifier.doi"},"metadata_groups":[{"id":"people","label":"People","entries":[{"key":"dc:creator","label":"Author","values":["Ulloa Herrero, José María"]}]},{"id":"academic_context","label":"Academic Context","entries":[{"key":"dc:date","label":"Dc Date","values":["2004-11"]},{"key":"dc:date.issued","label":"Date","values":["2004-11"]},{"key":"dc:publisher.department","label":"Dc Publisher Department","values":["Ingenieria_Electronica"]},{"key":"dc:publisher.institution","label":"Dc Publisher Institution","values":["Telecomunicacion"]},{"key":"dc:relation.isreferencedby","label":"Dc Relation Isreferencedby","values":["https://oa.upm.es/322/"]},{"key":"dc:type","label":"Dc Type","values":["Tesis"]},{"key":"dc:type.qualificationlevel","label":"Dc Type Qualificationlevel","values":["doctoral"]},{"key":"dc:type.qualificationname","label":"Dc Type Qualificationname","values":["phd"]}]},{"id":"subjects_keywords","label":"Subjects and Keywords","entries":[{"key":"dc:subject","label":"Dc Subject","values":["Física"]}]},{"id":"language_rights","label":"Language and Rights","entries":[{"key":"dc:language","label":"Dc Language","values":["es"]},{"key":"dc:rights","label":"Dc Rights","values":["by-nc-nd"]}]},{"id":"identifiers","label":"Identifiers","entries":[{"key":"dc:identifier.doi","label":"DOI","values":["10.20868/UPM.thesis.322"]},{"key":"dc:identifier.uri","label":"Identifier URI","values":["https://oa.upm.es/322/1/JOSE_MARIA_ULLOA_HERRERO.pdf"]}]},{"id":"additional","label":"Additional Metadata","entries":[{"key":"dc:description.abstract","label":"Abstract","values":["El trabajo realizado es una contribución al desarrollo de diodos láser de pozo cuántico de InGaAs/GaAs(111)B para emisión en 1.06 -1.1 micras y de GaInNAs/GaAs para la región de 1.3 -1.55 micras. Se presenta un detallado estudio teórico que incluye el cálculo de la estructura de bandas y la ganancia material de los mencionados pozos cuánticos. En el cso del InGaAs, se demuestra emisión láser a temperatura ambiente hasta 1.11 micras y demuestra que el campo piezélectrico está sólo parcialmente apantallado en umbral . También se calcula por primera vez la renormalización del gap en estos dispositivos , resultados ser mayor que en el caso equivalente en substrato convencional (100). En cuanto al GalnNas, además de analizar de forma teórica los cambios que el N produce en la estructura de bandas y la ganancia del material , se realiza un estudio óptico y estructural de pozos cuánticos que permite relacionar el fenómeno de la localización de portadores con la morfología del pozo , así como aclarar el efecto de los tratamientos térmicos en la fotoluminiscencia. Se utilizan diodos electroluminiscentes para demostrar el enorme impacto de la recombinación no-radiativa y finalmente se demuestra emisión láser hasta 1.52 micras con valores record de densidd de corriente umbral."]},{"key":"dc:format","label":"Dc Format","values":["application/pdf"]},{"key":"dc:title","label":"Title","values":["Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs(N)/GaAs"]}]}],"canonical_facts":{"dc:creator":["Ulloa Herrero, José María"],"dc:date":["2004-11"],"dc:date.issued":["2004-11"],"dc:description.abstract":["El trabajo realizado es una contribución al desarrollo de diodos láser de pozo cuántico de InGaAs/GaAs(111)B para emisión en 1.06 -1.1 micras y de GaInNAs/GaAs para la región de 1.3 -1.55 micras. Se presenta un detallado estudio teórico que incluye el cálculo de la estructura de bandas y la ganancia material de los mencionados pozos cuánticos. En el cso del InGaAs, se demuestra emisión láser a temperatura ambiente hasta 1.11 micras y demuestra que el campo piezélectrico está sólo parcialmente apantallado en umbral . También se calcula por primera vez la renormalización del gap en estos dispositivos , resultados ser mayor que en el caso equivalente en substrato convencional (100). En cuanto al GalnNas, además de analizar de forma teórica los cambios que el N produce en la estructura de bandas y la ganancia del material , se realiza un estudio óptico y estructural de pozos cuánticos que permite relacionar el fenómeno de la localización de portadores con la morfología del pozo , así como aclarar el efecto de los tratamientos térmicos en la fotoluminiscencia. Se utilizan diodos electroluminiscentes para demostrar el enorme impacto de la recombinación no-radiativa y finalmente se demuestra emisión láser hasta 1.52 micras con valores record de densidd de corriente umbral."],"dc:format":["application/pdf"],"dc:identifier.doi":["10.20868/UPM.thesis.322"],"dc:identifier.uri":["https://oa.upm.es/322/1/JOSE_MARIA_ULLOA_HERRERO.pdf"],"dc:language":["es"],"dc:publisher.department":["Ingenieria_Electronica"],"dc:publisher.institution":["Telecomunicacion"],"dc:relation.isreferencedby":["https://oa.upm.es/322/"],"dc:rights":["by-nc-nd"],"dc:subject":["Física"],"dc:title":["Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs(N)/GaAs"],"dc:type":["Tesis"],"dc:type.qualificationlevel":["doctoral"],"dc:type.qualificationname":["phd"]},"updated_at":"2026-07-24T05:39:53Z"}