{"id":{"repo_id":"upm","oai_identifier":"oai:oa.upm.es:202"},"canonical_url":"https://search.dev.ndltd.org/etd/upm/oai:oa.upm.es:202","repository":{"repo_id":"upm","name":"Universidad Politécnica de Madrid","base_url":"https://oa.upm.es/cgi/oai2"},"display":{"title":"Caracterización, procesos y estructuras para la mejora de células solares de silicio","abstract":"Partiendo de los desarrollos tecnológicos previos introducidos por el instituto de Energía Solar de la UPM, la tesis presenta un camino de mejora de las células de P/Al de emisor profundo del Instituto, introduciendo una nueva tecnología basada en la realización de un contacto posterior local en las células, y la sustitución del proceso de \"Gettering\" de Aluminio por un proceso de \"Gettering\" de fósforo. En la tesis se tratan por tanto temas relacionados con la optimización y caracterización de los procesos de fabricación de estas células, así como temas relacionados con el material de partida del entorno industrial (el silicio Cz), y su utilización en estos procesos. De esta forma, diferentes análisis y experimentos se han realizado cubriendo un amplio abanico tecnológico; así algunos de los resultados y temas más destacables contenidos en la tesis son: La optimización del proceso de gettering alcanzando un máximo para la recuperación del tiempo de vida en volumen a una temperatura determinada durante un tiempo fijo. La caracterización del proceso de segregación que tiene lugar durante el \"Gettering \" de fósforo, encontrándose que este proceso sufre un cambio a alta temperatura que podría justificarse por el paso de una segregación sólido-sólido a una sólido-líquido. El desarrollo de diversos procesos de fabricación con contacto local posterior que han alcanzado eficiencias de conversión en células del 18%. El estudio del defecto metaestable asociado al O-B del silicio Cz y su interacción con algunos procesos de fabricación, especialmente con el gettering de fósforo. Además se muestran resultados de experimentos orientados a evaluar la influencia de otros defectos como son los autointersticiales en la reducción del defecto metaestable asociado al contenido de O-B. El análisis de nuevos materiales, que no presentan degradación con la luz, como son el silicio Cz dopado con galio y el silicio FZ fotovoltaico en su aplicación a los procesos de fabricación desarrollados. Y el análisis de la reducción del espesor de las células, la influencia del tiempo de vida en el volumen y la pasivación de la superficie posterior en su respuesta. Presentándose resultados experimentales de eficiencias en células delgadas del 17.4 % (en células de 100 micras de espesor sobre silicio Cz).","abstract_html":"Partiendo de los desarrollos tecnológicos previos introducidos por el instituto de Energía Solar de la UPM, la tesis presenta un camino de mejora de las células de P/Al de emisor profundo del Instituto, introduciendo una nueva tecnología basada en la realización de un contacto posterior local en las células, y la sustitución del proceso de "Gettering" de Aluminio por un proceso de "Gettering" de fósforo. En la tesis se tratan por tanto temas relacionados con la optimización y caracterización de los procesos de fabricación de estas células, así como temas relacionados con el material de partida del entorno industrial (el silicio Cz), y su utilización en estos procesos. De esta forma, diferentes análisis y experimentos se han realizado cubriendo un amplio abanico tecnológico; así algunos de los resultados y temas más destacables contenidos en la tesis son: La optimización del proceso de gettering alcanzando un máximo para la recuperación del tiempo de vida en volumen a una temperatura determinada durante un tiempo fijo. La caracterización del proceso de segregación que tiene lugar durante el "Gettering " de fósforo, encontrándose que este proceso sufre un cambio a alta temperatura que podría justificarse por el paso de una segregación sólido-sólido a una sólido-líquido. El desarrollo de diversos procesos de fabricación con contacto local posterior que han alcanzado eficiencias de conversión en células del 18%. El estudio del defecto metaestable asociado al O-B del silicio Cz y su interacción con algunos procesos de fabricación, especialmente con el gettering de fósforo. Además se muestran resultados de experimentos orientados a evaluar la influencia de otros defectos como son los autointersticiales en la reducción del defecto metaestable asociado al contenido de O-B. El análisis de nuevos materiales, que no presentan degradación con la luz, como son el silicio Cz dopado con galio y el silicio FZ fotovoltaico en su aplicación a los procesos de fabricación desarrollados. Y el análisis de la reducción del espesor de las células, la influencia del tiempo de vida en el volumen y la pasivación de la superficie posterior en su respuesta. 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