Formación de momentos magnéticos locales en sistemas de baja dimensión con impurezas
En este trabajo, se utilizó un modelo de Anderson de enlace fuerte para estudiar teóricamente la formación de momentos magnéticos locales cuando una impureza es adsorbida en un sitio hueco o en un sitio superior en X-enos bidimensionales del grupo 14 –específicamente siliceno, germaneno y estaneno– y se compararon los resultados con aquellos obtenidos para grafeno. Las partes real e imaginaria de la autoenergía de la impureza fueron calculadas analíticamente en la aproximación de bajas energías a fin de derivar expresiones para la densidad de estados polarizada en espín. Con el objetivo de calcular los momentos magnéticos locales en la impureza, se implementó un cálculo numérico autoconsistente, teniendo en cuenta el efecto de un campo eléctrico externo aplicado. Para cada uno de los X-enos considerados, se identificó un dominio magnético en función de la fuerza de hibridización de la impureza con las subredes, la energía de Fermi y el parámetro de Hubbard para diferentes intensidades de campo eléctrico, generalizando los resultados encontrados en la literatura para grafeno. Se estudiaron las consecuencias de la aplicación del campo eléctrico para energías positivas y negativas en el nivel de la impureza, medidas respecto del punto de Dirac. Se encontró un efecto protector del parámetro de espín-órbita que permitió ampliar la región magnética respecto de la intensidad de la hibridización y del nivel de Fermi, inclusive para valores pequeños del parámetro de Hubbard. Por otro lado, a través de un modelo de Anderson, se estudió la adsorción de dos impurezas sobre una monocapa de X-eno y se encontró una interacción efectiva entre ellas a través de una transformación de Schrieffer-Wolff. Los resultados obtenidos tienen potenciales aplicaciones en nanoelectrónica y espintrónica, particularmente cuando se requiere la variabilidad de momentos magnéticos locales, la cual puede ser lograda utilizando un campo eléctrico externo.
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