Ein Beitrag zu Entwurf und Modellierung von Anpassschaltungen für breitbandige Mikrowellen-Leistungsverstärker

Behandelt werden Anpassschaltungen für Transistor-Leistungsverstärker mit Bandbreiten zwischen einigen Oktaven und einigen Dekaden. Besondere Aufmerksamkeit gilt Leitungstransformatoren und -Symmetrierern im Frequenzbereich bis 6 GHz. Zur Einführung werden Entwurf und Aufbau eines Klasse A MOSFET-Leistungsverstärkermoduls mit einer maximalen Ausgangsleistung von 5 Watt im Frequenzbereich von 1 MHz bis 1 GHz detailliert beschrieben. Im Weiteren werden anhand von Beispielen LC-Netzwerke, Wicklungs- und Leitungstransformatoren untersucht. Den Hauptteil der Dissertation stellt die Ausarbeitung eines neuartigen Modellierungskonzepts für gestreckte Leitungstransformatoren und Symmetrierer dar, wie sie bei höheren Leistungen Anwendung finden. Die Transformatoren werden dabei als TEM-Mehrleitersysteme aufgefasst und durch zweidimensionale Feldanalyse charakterisiert. Darauf aufbauend wird ein der Länge nach skalierbares Ersatzschaltbild entworfen, das auch erhebliche Breitenausdehnungen mit zufriedenstellender Genauigkeit erfasst. Im Kleinsignalbereich werden spiralförmige Leitungstransformatoren auf multiplanaren Medien betrachtet, welche für die Massenfertigung geeignet sind. Der Schwerpunkt liegt hier auf Miniaturisierung und Kostenoptimierung.

Author dc:creator

• Horn, Johannes

Advisor dc:contributor.advisor

• Bock, Georg

Licence dc:rights.uri

• http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/

Language dc:language.iso

de, German

Identifier URI

urn:nbn:de:kobv:83-opus-11880
http://dx.doi.org/10.14279/depositonce-1272

OAI identifier oai:identifier

oai:depositonce.tu-berlin.de:11303/1569