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Politecnico di Torino
Studio di modelli fisici per la simulazione di effetti di backgate e dispersione a bassa frequenza in GaAs MESFET
Abstract
dc:descriptionIl lavoro di tesi presenta l'implementazione di un modello fisico deriva diffusione a doppio portatore per FET a doppio portatore. Effetti di trappoli e backgate sono inclusi. Il programma fornisce le caratteristiche DC e di piccolo segnale a partire dai parametri fisici di FET per alte frequenze.
Degree
thesis:*- Grantor dc:publisher
- Politecnico di Torino
- Year dc:date
- 1992
Author and committee
dc:creator, dc:contributor.*- Author dc:creator
-
- PIROLA, Marco
Subjects
dc:subject × 1Rights
- Language dc:language
- eng
Identifiers
dc:identifier.*- Handle dc:identifier
- http://hdl.handle.net/11583/2501529
- OAI identifier oai:identifier
- oai:iris.polito.it:11583/2501529