Defektspektroskopie an Solarzellen und Schottky-Kontakten auf Basis des Halbleiters Cu(In,Ga)Se 2

Solarzellen auf Basis des Halbleiters Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) sind dabei, die Grenze zur Kommerzialisierung zu überschreiten. Ein Spitzenwirkungsgrad von bisher knapp 19% verspricht ein großes Potential. Leider hinkt das physikalische Verständnis den technologischen Erfolgen hinterher. In der vorliegenden Arbeit wird der Ladungstransport und die Defektphysik von Solarzellen und Schottky-Kontakten auf Basis von CIGS mit Hilfe von Admittanzspektroskopie, DLTS und Quantenausbeute untersucht. Zusätzlich werden Simulationsrechnungen (mit SCAPS-1D) vorgenommen. Es wird gezeigt, daß mit Hilfe der Admittanzspektroskopie eine Qualitätskontrolle der Solarzellen möglich ist. Durch differenzierte DLTS-Methoden (u.a. Leitwert-, Reverse- und Laplace-DLTS) wird die komplizierte Defektphysik von CIGS umfassend untersucht. Die Messung der Quantenausbeute und die vergleichenden Simulationsrechnungen weisen auf einen starken Einfluß der Korngrenzen auf den Ladungstransport hin. Weiterhin wird der Einfluß von Natrium sowohl auf die Kornmorphologie, als auch auf die elektrischen Eigenschaften des CIGS-Absorbers diskutiert.

Level thesis:degree_level

thesis.doctoral

Grantor dc:publisher

Universität Oldenburg

Year

1999

Author dc:creator

• Engelhardt, Frank

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http://oops.uni-oldenburg.de/416

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