Rare earth oxide thin films from solution based inorganic precursor deposition as potential candidates for insulators in advanced gate stacks : deposition mechanism and performance studies

Selten-Erd-Oxid Dünnschichten oder generell Materialien mit hohen Dielektrizitätskonstanten sind in der Diskussion zum Ersatz von SiO2 als Gate-Oxid in MOSFETs, um eine weitere Miniaturisierung bei gleichzeitiger Leistungssteigerung zu gewährleisten. In dieser Arbeit wurde ein neuartiges lösungsbasiertes Abscheidungsverfahren, bei dem rein anorganische Vorläufermoleküle der Selten-Erd Elemente Lanthan und Neodym und Titan sowie milde abtragungsfreie Zersetzungsbedingungen zur Oxid Bildung angewendet werden, beschrieben. Einfach- und Mehrfachlagensysteme wurden auf verschiedenen Silizium-, Germanium- und Siliziumgermaniummischsubstraten abgeschieden. Die erzeugten Filme und Vorläufermoleküle wurden mittels AFM, STM, TGA, XPS, XRD, HRTEM sowie I-V und C-V Messungen charakterisiert. Es konnte gezeigt werden, dass der neuartige Ansatz ultradünne, kohlenstofffreie Filme liefert, die aufgrund ihrer elektrischen Eigenschaften zur Anwendung in DRAM Bauteilen in Frage kommen.

Level thesis:degree_level

thesis.doctoral

Grantor dc:publisher

Universität Oldenburg

Year

2012

Author dc:creator

• Ahlf, Maraike

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