{"id":{"repo_id":"oldenburg","oai_identifier":"oai:oops.uni-oldenburg.de:1154"},"canonical_url":"https://search.dev.ndltd.org/etd/oldenburg/oai:oops.uni-oldenburg.de:1154","repository":{"repo_id":"oldenburg","name":"Carl von Ossietzky Universität Oldenburg","base_url":"http://oops.uni-oldenburg.de/cgi/oai2"},"display":{"title":"Opto-electronic characterization of polycrystalline CuInS2 and Cu(In,Ga)S2 absorber layers by photoluminescence","abstract":"Photolumineszenz (PL) hat sich als Charakterisierungsmethode für Absorber von Solarzellen etabliert, durch die Formulierung vom verallgemeinertem Planckschen Strahlungsgesetz lässt sich prinzipiell die Aufspaltung der quasi-Fermi Niveaus sowie die Absorption einer Solarzelle noch vor ihrer Fertigstellung bestimmen. Für großflächige Messungen (mm/cm-Skala) gilt dies jedoch vornehmlich für homogene Absorberschichten, auf die Analyse polykristalliner Halbleiter lässt sich dieser Ansatz aufgrund der lateral variierenden opto-elektronischen und strukturellen Eigenschaften nicht eins zu eins übertragen. In dieser Arbeit werden durch die lateral und spektral aufgelöste Messung der PL mit sub-Mikrometer Auflösung sowie den Übergang zur makroskopischen Messung die lateralen Fluktuationen in den Eigenschaften des polykristallinen Halbleiters Cu(In,Ga)S2 quantifiziert und hinsichtlich ihres Anregungszustandes und ihrer Absorption untersucht.","abstract_html":"Photolumineszenz (PL) hat sich als Charakterisierungsmethode für Absorber von Solarzellen etabliert, durch die Formulierung vom verallgemeinertem Planckschen Strahlungsgesetz lässt sich prinzipiell die Aufspaltung der quasi-Fermi Niveaus sowie die Absorption einer Solarzelle noch vor ihrer Fertigstellung bestimmen. 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For large-scale measurements (mm/cm regime) this is valid for absorber layers with lateral homogeneous properties, however it is not directly transferable to polycrystalline semiconductors due to laterally fluctuating opto-electronic and structural parameters. In this work the lateral fluctuations in opto-electronic properties of polycrystalline Cu(In,Ga)S2 have been analyzed by measuring laterally and spectrally resolved PL on the μm-scale and providing the transition towards macroscopic PL measurements on the mm-scale. To give a comprehensive characterization, surface roughness and optical properties have been studied and methods for feature extraction have been applied."]},{"key":"dc:format.medium","label":"Dc Format Medium","values":["application/pdf"]},{"key":"dc:title","label":"Title","values":["Opto-electronic characterization of polycrystalline CuInS2 and Cu(In,Ga)S2 absorber layers by photoluminescence"]}]}],"canonical_facts":{"dc:creator":["Heidemann, Florian"],"dc:description.abstract":["Photolumineszenz (PL) hat sich als Charakterisierungsmethode für Absorber von Solarzellen etabliert, durch die Formulierung vom verallgemeinertem Planckschen Strahlungsgesetz lässt sich prinzipiell die Aufspaltung der quasi-Fermi Niveaus sowie die Absorption einer Solarzelle noch vor ihrer Fertigstellung bestimmen. 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