Électroluminescence transitoire d'ITO/Isoindole (1e)/Alq3/Mg: nouvelles techniques de caractérisation et calibration
type: CreativeWork
description: La réponse transitoire d'électroluminescence (EL) d'une diode organique bicouche étudiée dans ce travail montre l'apparition de deux phénomènes dans les dispositifs organiques. Tout d'abord, nous avons remarqué une augmentation du nombre de photons en fonction du temps. Deuxièmement, malgré cette augmentation, la densité de courant reste conservée. Ces observations indiquent que le changement des propriétés optiques de ces dispositifs se produit sans aucune variation des propriétés électriques. Sous un régime d'impulsion de tension rectangulaire, le rendement global externe et la stabilité des dispositifs se sont considérablement améliorés. Dans cette étude, nous avons adopté une nouvelle mesure technique basée sur le comptage simultané d'un certain nombre de photons émis et celui des électrons injectés. De cette façon, nous avons pu mesurer le rendement global externe instantané par rapport à trois modes de comptage différents : fixe, scanné ou continu. La partie théorique développée dans ce travail montre un accord avec les résultats expérimentaux. Nous étudions ici deux structures différentes : ITO (35nm) /isoindole (1e) (40nm) (1,3,4,5,6,7-hexaphényl-2-p-tolyl-isoindole) /Alq 3 (40nm) (tri (8 hydroxyquinolate) Aluminium/Mg (structure 1) et ITO (35 nm) /TDP (N, N' -bis (3-méthylphényl) N, N '-bis (3-méthylphényl) N, N' -bis-A phénylbenzedine-4,4′ diamine) (40 nm) /Alq 3 (40 nm) (tri (8-hydroxyquinolate) aluminium/Mg (structure 2). Nous avons obtenu un rendement quantique EL externe de 0,75 % et 0,4 % pour la structure 1 et la structure 2 respectivement.
abstract: La réponse transitoire d'électroluminescence (EL) d'une diode organique bicouche étudiée dans ce travail montre l'apparition de deux phénomènes dans les dispositifs organiques. Tout d'abord, nous avons remarqué une augmentation du nombre de photons en fonction du temps. Deuxièmement, malgré cette augmentation, la densité de courant reste conservée. Ces observations indiquent que le changement des propriétés optiques de ces dispositifs se produit sans aucune variation des propriétés électriques. Sous un régime d'impulsion de tension rectangulaire, le rendement global externe et la stabilité des dispositifs se sont considérablement améliorés. Dans cette étude, nous avons adopté une nouvelle mesure technique basée sur le comptage simultané d'un certain nombre de photons émis et celui des électrons injectés. De cette façon, nous avons pu mesurer le rendement global externe instantané par rapport à trois modes de comptage différents : fixe, scanné ou continu. La partie théorique développée dans ce travail montre un accord avec les résultats expérimentaux. Nous étudions ici deux structures différentes : ITO (35nm) /isoindole (1e) (40nm) (1,3,4,5,6,7-hexaphényl-2-p-tolyl-isoindole) /Alq 3 (40nm) (tri (8 hydroxyquinolate) Aluminium/Mg (structure 1) et ITO (35 nm) /TDP (N, N' -bis (3-méthylphényl) N, N '-bis (3-méthylphényl) N, N' -bis-A phénylbenzedine-4,4′ diamine) (40 nm) /Alq 3 (40 nm) (tri (8-hydroxyquinolate) aluminium/Mg (structure 2). Nous avons obtenu un rendement quantique EL externe de 0,75 % et 0,4 % pour la structure 1 et la structure 2 respectivement.
author: Gherabi, Abdellatif
language: iso639-2b
language: fre
keywords: Diodes électroluminescentes, Matériaux optiques Propriétés électriques
identifier: oclc: 726388068
date published: 2004
date modified: 2026-07-24T03:10:04Z
provider: University de Moncton
publisher: Networked Digital Library of Theses and Dissertations
type: WebPage
source organization: Université de Moncton

PropertyValue
property ID: Handle
value: https://hdl.handle.net/20.500.14658/7442