{"id":{"repo_id":"moncton","oai_identifier":"oai:umoncton.scholaris.ca:20.500.14658/6527"},"canonical_url":"https://search.dev.ndltd.org/etd/moncton/oai:umoncton.scholaris.ca:20.500.14658/6527","repository":{"repo_id":"moncton","name":"University de Moncton","base_url":"https://umoncton.scholaris.ca/server/oai/request"},"display":{"title":"Étude des couches minces d'ITO préparées par pulvérisation et bombardement atomique","abstract":"La fabrication et la caractérisation de films d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) préparés par pulvérisation magnétron RF sont décrites. Les propriétés dépendent de la pression partielle d'oxygène, de la vitesse de dépôt, de la température du substrat et de la distance cible-substrat. Des températures élevées ($ {\\ geq300} \\ sp \\ Circ$c) étaient nécessaires pour obtenir des films de haute qualité. En utilisant la combinaison optimale de ces paramètres, des films ayant des résistivités de 2$ \\ fois10 \\ sp {-4} \\ \\ Omega$ cm et une transmittance visible moyenne supérieure à 85 % ont été produits. Des films ont également été déposés à température ambiante par dépôt assisté par atome rapide. La puissance du canon à atomes rapides est le facteur dominant dans la détermination de la conductivité, de la concentration en porteurs et de la mobilité des films. Avec une puissance de 7,5 W, des films de résistivités aussi faibles que $3 \\ times10 \\ sp {-4} \\ \\ Omega$ cm et de transmittance optique supérieure à 85 % ont été obtenus. La caractérisation complète a été réalisée par spectrophotométrie, ellipsométrie et mesures de résistance à quatre sondes. Le modèle Drude a été utilisé pour calculer la concentration de porteurs et la mobilité des films. Une bande interdite d'environ 3,8 eV a été déduite des données spectrophotométriques.","abstract_html":"La fabrication et la caractérisation de films d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) préparés par pulvérisation magnétron RF sont décrites. Les propriétés dépendent de la pression partielle d'oxygène, de la vitesse de dépôt, de la température du substrat et de la distance cible-substrat. Des températures élevées ( { geq300} sp Circc) étaient nécessaires pour obtenir des films de haute qualité. En utilisant la combinaison optimale de ces paramètres, des films ayant des résistivités de 2 fois10 sp {-4} Omega cm et une transmittance visible moyenne supérieure à 85 % ont été produits. Des films ont également été déposés à température ambiante par dépôt assisté par atome rapide. La puissance du canon à atomes rapides est le facteur dominant dans la détermination de la conductivité, de la concentration en porteurs et de la mobilité des films. Avec une puissance de 7,5 W, des films de résistivités aussi faibles que 3 times10 sp {-4} Omega cm et de transmittance optique supérieure à 85 % ont été obtenus. La caractérisation complète a été réalisée par spectrophotométrie, ellipsométrie et mesures de résistance à quatre sondes. Le modèle Drude a été utilisé pour calculer la concentration de porteurs et la mobilité des films. 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