Study on Channel Mobility and Threshold Voltage Towards SiC CMOS Devices
type: CreativeWork
description: 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
abstract: 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
author: Mikami, Kyota
language: eng
keywords: Silicon Carbide, MOSFETs, Channel Mobility, Threshold Voltage, Interface States, p-channel
date published: 2025-03-24
date modified: 2026-07-24T02:47:55Z
provider: Kyoto University
publisher: Networked Digital Library of Theses and Dissertations
type: WebPage
source organization: Kyoto University

PropertyValue
property ID: Handle
value: http://hdl.handle.net/2433/296107