{"id":{"repo_id":"freiburg-diss","oai_identifier":"oai:freidok.uni-freiburg.de:24"},"canonical_url":"https://search.dev.ndltd.org/etd/freiburg-diss/oai:freidok.uni-freiburg.de:24","repository":{"repo_id":"freiburg-diss","name":"University of Freiburg","base_url":"https://freidok.uni-freiburg.de/oai/oai2.php"},"display":{"title":"Numerische Simulation zeitabhängiger Wachstumsprozesse bei der Kristallzüchtung aus metallischen Lösungen","abstract":"Bei der Halbleiterkristallzüchtung aus metallischen Lösungen spielt der
Materialtransport in der flüssigen Phase eine wichtige Rolle für die Qualität
der gezüchteten Kristalle. Insbesondere können sich durch zeitabhängige
Konvektion hervorgerufene Effekte negativ auf die Kristallhomogenität auswirken.
Zur Untersuchung dieser Effekte wird ein Modell zur numerischen Berechnung
der Transportvorgänge bei der Lösungszonenzüchtung erstellt. Dieses Modell
erlaubt es, Aussagen über die auftretende Wachstumsrate des Kristalls und über
seine Zusammensetzung zu treffen. Anhand von Parameterstudien werden kritische
Frequenzen für das Konzentrations- und Geschwindigkeitsfeld bestimmt, mit deren
Hilfe zukünftige Experimente geplant werden können.
Die Überprüfung des Berechnungsmodells erfolgt durch die Simulation eines
Mikrogravitationsexperiments, bei dem der Verbindungshalbleiter InP aus einer
Indium-Lösungszone gezüchtet wurde. Die im gezüchteten Kristall sichtbaren
periodischen Wachstumsratenschwankungen lassen sich mit der Simulation auf
eine periodische Änderung der Restgravitation durch den tidalen Effekt
zurückführen. Diese bewirkt eine zeitlich variiernede Konvektionsströmung,
die den Materialtransport in der Lösungszone, trotz der geringen
Strömungsgeschwindigkeit von ca. 4 µm/s, entscheidend beeinflußt.","abstract_html":"Bei der Halbleiterkristallzüchtung aus metallischen Lösungen spielt der <br>Materialtransport in der flüssigen Phase eine wichtige Rolle für die Qualität <br>der gezüchteten Kristalle. Insbesondere können sich durch zeitabhängige <br>Konvektion hervorgerufene Effekte negativ auf die Kristallhomogenität auswirken. <br> <br>Zur Untersuchung dieser Effekte wird ein Modell zur numerischen Berechnung <br>der Transportvorgänge bei der Lösungszonenzüchtung erstellt. Dieses Modell <br>erlaubt es, Aussagen über die auftretende Wachstumsrate des Kristalls und über <br>seine Zusammensetzung zu treffen. Anhand von Parameterstudien werden kritische <br>Frequenzen für das Konzentrations- und Geschwindigkeitsfeld bestimmt, mit deren <br>Hilfe zukünftige Experimente geplant werden können. <br> <br>Die Überprüfung des Berechnungsmodells erfolgt durch die Simulation eines <br>Mikrogravitationsexperiments, bei dem der Verbindungshalbleiter InP aus einer <br>Indium-Lösungszone gezüchtet wurde. Die im gezüchteten Kristall sichtbaren <br>periodischen Wachstumsratenschwankungen lassen sich mit der Simulation auf <br>eine periodische Änderung der Restgravitation durch den tidalen Effekt <br>zurückführen. Diese bewirkt eine zeitlich variiernede Konvektionsströmung, <br>die den Materialtransport in der Lösungszone, trotz der geringen <br>Strömungsgeschwindigkeit von ca. 4 µm/s, entscheidend beeinflußt.","abstract_has_math":false,"creators":["Boschert, Stefan Hermann"],"institution":null,"degree_name":null,"degree_level":null,"degree_discipline":null,"degree_department":null,"school":null,"contributors":[],"advisors":[],"committee_chairs":[],"committee_members":[],"year":null,"date_issued":"","date_published":null,"updated_at":"2026-07-24T02:21:24Z","subjects":["THM-Verfahren","g-jitter"],"languages":[],"rights":[],"rights_urls":[],"identifier_entries":[]},"links":{"outbound_url":"https://freidok.uni-freiburg.de/data/24","outbound_label":"Repository record","outbound_source":"source_url"},"metadata_groups":[{"id":"people","label":"People","entries":[{"key":"dc:creator","label":"Author","values":["Boschert, Stefan Hermann"]}]},{"id":"academic_context","label":"Academic Context","entries":[{"key":"dc:type","label":"Dc Type","values":["DoctoralThesis"]}]},{"id":"subjects_keywords","label":"Subjects and Keywords","entries":[{"key":"dc:subject","label":"Dc Subject","values":["THM-Verfahren","g-jitter"]}]},{"id":"additional","label":"Additional Metadata","entries":[{"key":"dc:description.abstract","label":"Abstract","values":["Bei der Halbleiterkristallzüchtung aus metallischen Lösungen spielt der
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Zur Untersuchung dieser Effekte wird ein Modell zur numerischen Berechnung
der Transportvorgänge bei der Lösungszonenzüchtung erstellt. Dieses Modell
erlaubt es, Aussagen über die auftretende Wachstumsrate des Kristalls und über
seine Zusammensetzung zu treffen. Anhand von Parameterstudien werden kritische
Frequenzen für das Konzentrations- und Geschwindigkeitsfeld bestimmt, mit deren
Hilfe zukünftige Experimente geplant werden können.
Die Überprüfung des Berechnungsmodells erfolgt durch die Simulation eines
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Indium-Lösungszone gezüchtet wurde. Die im gezüchteten Kristall sichtbaren
periodischen Wachstumsratenschwankungen lassen sich mit der Simulation auf
eine periodische Änderung der Restgravitation durch den tidalen Effekt
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