Galvanic isolation interface and gate driver for power switching systems in GaN technology [Interfaccia di isolamento galvanico e gate driver per sistemi di commutazione di potenza in tecnologia GaN]

Questa tesi è presentata come adempimento parziale dei requisiti per il conseguimento del titolo di Dottore di Ricerca (PhD) in Ingegneria dei Sistemi, dell’Energia, dell’Informatica e delle Telecomunicazioni presso l’Università degli Studi di Catania. Questo lavoro è stato svolto presso il Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Elettronica e Informatica (DIEEI), sotto la supervisione dei professori Salvatore Pennisi e Giuseppe Palmisano. Questo dottorato è stato finanziato in parte dal Ministero Italiano della Ricerca attraverso il programma PON Ricerca e Innovazione 2014-2020, Azione n. IV.6. Il lavoro è stato inoltre supportato in parte dal progetto SAMOTHRACE finanziato dall’Unione Europea (NextGeneration EU) tramite il MUR - PNRR, con il Grant ECS00000022. Inoltre, questa ricerca è stata parzialmente sostenuta dal programma quadro Horizon 2020 (ECSEL-IA - ECSEL Innovation Action), progetto n. 101007310 — GaN4AP, e dalla Commissione Europea attraverso il progetto ASCENT+: Accesso alle Infrastrutture Europee per la Nanoelettronica, finanziato nell’ambito del programma H2020, Grant 871130. Questa tesi presenta progetti innovativi per applicazioni di commutazione di potenza basati sulla tecnologia al Nitruro di Gallio (GaN). I contributi principali includono lo sviluppo di interfacce galvanicamente isolate completamente integrate, amplificatori operazionali ad alte prestazioni e circuiti innovativi per pilotaggio di gate. Inoltre, la tesi introduce tecniche innovative per affrontare le sfide associate ai dispositivi GaN, come l’elevata variabilità dei parametri, l’assenza di transistor a canale p e la necessità di una protezione ESD efficace. I risultati della ricerca contribuiscono all’avanzamento dello stato dell’arte nell’elettronica di potenza basata su GaN e aprono la strada a futuri sviluppi in applicazioni ad alta efficienza e potenza elevata.

Grantor dc:publisher

Università degli studi di Catania

Year dc:date

2025

Author dc:creator

• SAMPERI, KATIA

Contributors dc:contributor

• PENNISI, Salvatore
• ARENA, Paolo Pietro

• Galvanic isolation
• GaN technology
• gate driver
• switching power converters
• Isolamento galvanico
• Tecnologia GaN
• GaN gate driver
• Convertitori di potenza a commutazione

Statement dc:rights

• info:eu-repo/semantics/openAccess
• license:NON PUBBLICO - Accesso privato/ristretto
• license uri:iris.PRI01

Language dc:language

eng

Handle dc:identifier

https://hdl.handle.net/20.500.11769/691036

OAI identifier oai:identifier

oai:www.iris.unict.it:20.500.11769/691036