AlGaN/GaN heterostructures for enhancement mode transistors
type: CreativeWork
description: Oggigiorno il continuo aumento della domanda di energia elettrica è divenuto un problema globale. Infatti la riduzione del consumo di energia è diventato il compito principale della moderna elettronica di potenza. In questo contesto, i semiconduttori a larga banda, come il nitruro di gallio (GaN) e le relative leghe, hanno mostrato eccellenti proprietà fisiche. Un aspetto interessante legato al GaN è la possibilità di crescere eterostrutture AlGaN/GaN, in cui si forma un gas bidimensionale di elettroni (2DEG). Basandosi sulla presenza del 2DEG, le eterostrutture AlGaN/GaN sono particolarmente interessanti per la realizzazione di transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT). Inoltre, dispositivi AlGaN/GaN HEMT che lavorino in modalità di arricchimento. offrirebbero una circuiteria semplificata, in combinazione con condizioni operative favorevoli per la sicurezza del dispositivo. Titolo di questa tesi è infatti "Eterostrutture AlGaN/GaN per transistori che lavorino in modalità di arricchimento". Lo scopo di questo lavoro è stato quello di chiarire i meccanismi che regolano il trasporto elettronico in alcune rilevanti interfacce, in dispositivi AlGaN/GaN, dopo la modifica della loro superficie dovuta a processi utilizzati per ottenere dispositivi normalmente off. La tesi è divisa in 6 capitoli. Nei primi due capitoli sono descritte, le proprietà del GaN e delle relative leghe AlGaN, e sono state spiegate la formazione del 2DEG e il principio di funzionamento dei dispositivi HEMT. Nel capitolo 3, è presentata una caratterizzazione su scala nanometrica di superfici AlGaN modificate al fine di esplorare possibili modi per ridurre il 2DEG. In particolare due diversi specifici approcci sono stati studiati, ovvero l uso di un trattamento in plasma a base di fluoro e l'uso di un processo di ossidazione locale. Anche se si è assistito a uno svuotamento del 2DEG grazie all utilizzo di questi approcci, diversi problemi di affidabilità sono stati riscontrati…
abstract: Oggigiorno il continuo aumento della domanda di energia elettrica è divenuto un problema globale. Infatti la riduzione del consumo di energia è diventato il compito principale della moderna elettronica di potenza. In questo contesto, i semiconduttori a larga banda, come il nitruro di gallio (GaN) e le relative leghe, hanno mostrato eccellenti proprietà fisiche. Un aspetto interessante legato al GaN è la possibilità di crescere eterostrutture AlGaN/GaN, in cui si forma un gas bidimensionale di elettroni (2DEG). Basandosi sulla presenza del 2DEG, le eterostrutture AlGaN/GaN sono particolarmente interessanti per la realizzazione di transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT). Inoltre, dispositivi AlGaN/GaN HEMT che lavorino in modalità di arricchimento. offrirebbero una circuiteria semplificata, in combinazione con condizioni operative favorevoli per la sicurezza del dispositivo. Titolo di questa tesi è infatti "Eterostrutture AlGaN/GaN per transistori che lavorino in modalità di arricchimento". Lo scopo di questo lavoro è stato quello di chiarire i meccanismi che regolano il trasporto elettronico in alcune rilevanti interfacce, in dispositivi AlGaN/GaN, dopo la modifica della loro superficie dovuta a processi utilizzati per ottenere dispositivi normalmente off. La tesi è divisa in 6 capitoli. Nei primi due capitoli sono descritte, le proprietà del GaN e delle relative leghe AlGaN, e sono state spiegate la formazione del 2DEG e il principio di funzionamento dei dispositivi HEMT. Nel capitolo 3, è presentata una caratterizzazione su scala nanometrica di superfici AlGaN modificate al fine di esplorare possibili modi per ridurre il 2DEG. In particolare due diversi specifici approcci sono stati studiati, ovvero l uso di un trattamento in plasma a base di fluoro e l'uso di un processo di ossidazione locale. Anche se si è assistito a uno svuotamento del 2DEG grazie all utilizzo di questi approcci, diversi problemi di affidabilità sono stati riscontrati…
author: GRECO, GIUSEPPE
language: eng
keywords: GaN,AlGaN/GaN heterostructures,HEMT,2DEG, p-GaN contacts
date published: 2012-12-08
date modified: 2026-07-24T01:35:06Z
provider: Università degli Studi di Catania
publisher: Networked Digital Library of Theses and Dissertations
type: WebPage
source organization: Università degli studi di Catania

PropertyValue
property ID: Handle
value: https://hdl.handle.net/20.500.11769/587442