Caracterização estrutural de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe/Si(111)

Neste trabalho, foi feita a caracterização estrutural e morfológica de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe crescidos sobre substrato de Si(111) passivado com hidrogênio. As amostras foram crescidas por epitaxia de paredes quentes e caracterizadas por microscopia de força atômica e difração de raios- especular e incidência rasante.As analises das imagens de microscopia de força atômica mostram a existência de ilhas isoladas de formato piramidal, mostrando que o crescimento segue o modo Volmer-Weber. As medidas de difração de raios-X, mostram que apesar do considerável descasamento do parâmetro de rede (19%) as ilhas crescem epitaxialmente, seguindo a direção cristalográfica [111] do substrato de silício. A analise cuidadosa das medidas de difração com incidência rasante permite determinar as dimensões lateral e vertical dos pontos quânticos e a observar existência de uma pequena quantidade de pontos quânticos girados de 30º no plano de crescimento.

Grantor dc:publisher

Universidade Federal de Viçosa

Year dc:date.issued

2007

Author dc:creator

• Suela, Jefferson

• Pontos quânticos
• Raio X
• Teruleto de cádmio
• GID
• Quantum dots
• X-ray

Statement dc:rights

• Acesso Aberto

Language dc:language

por

Repository record dc:identifier.uri

http://locus.ufv.br/handle/123456789/4274

OAI identifier oai:identifier

oai:locus.ufv.br:123456789/4274