II-VI-Halbleiter-Heterostrukturen mit großem Bandabstand für die Optoelektronik : Herstellung mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie und Charakterisierung

Söllner, Jörg

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Shaker

II-VI-Halbleiter-Heterostrukturen mit großem Bandabstand für die Optoelektronik : Herstellung mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie und Charakterisierung

dc:creator Söllner, Jörg

dc:date1996

Degree

thesis:*

Grantor dc:publisher: Shaker
Year dc:date: 1996

Author and committee

dc:creator, dc:contributor.*

Author dc:creator: Söllner, Jörg

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Statement dc:rights: info:eu-repo/semantics/closedAccess
Language dc:language: ger

Identifiers

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Last updated: 2026-07-30
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Söllner, Jörg. II-VI-Halbleiter-Heterostrukturen mit großem Bandabstand für die Optoelektronik : Herstellung mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie und Charakterisierung. Shaker, 1996. https://publications.rwth-aachen.de/record/53771

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