InAlAs-InGaAs-InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit Submikrometer-Gatelängen : Herstellung, Charakterisierung und Stabilisierung

Weigel, Kirsten

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Shaker

InAlAs-InGaAs-InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit Submikrometer-Gatelängen : Herstellung, Charakterisierung und Stabilisierung

dc:creator Weigel, Kirsten

dc:date1996

Degree

thesis:*

Grantor dc:publisher: Shaker
Year dc:date: 1996

Author and committee

dc:creator, dc:contributor.*

Author dc:creator: Weigel, Kirsten

Rights

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Statement dc:rights: info:eu-repo/semantics/closedAccess
Language dc:language: ger

Identifiers

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Identifier: https://publications.rwth-aachen.de/search?p=id:%22RWTH-CONV-115795%22
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Base URL: publications.rwth-aachen.de/oai2d
Last updated: 2026-07-30
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aachen
1996

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Weigel, Kirsten. InAlAs-InGaAs-InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit Submikrometer-Gatelängen : Herstellung, Charakterisierung und Stabilisierung. Shaker, 1996. https://publications.rwth-aachen.de/record/53628

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