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Herstellung und Charakterisierung von Gruppe III-Nitrid Laserdioden
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von violett-emittierenden Rippenwellenleiterdiodenlasern auf der Basis der Gruppe III-Nitride. Aufgrund der mangelnden Verfügbarkeit von freitragendem GaN-Substrat in ausreichender Qualität trägt die Wahl des …