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Results
Showing 1 to 7 of 7 for “"nitruro di gallio"”.
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Galvanic isolation interface and gate driver for power switching systems in GaN technology [Interfaccia di isolamento galvanico e gate driver per sistemi di commutazione di potenza in tecnologia GaN]
… dei requisiti per il conseguimento del titolo di Dottore di Ricerca (PhD) in Ingegneria dei Sistemi, dell’Energia, dell’Informatica e delle Telecomunicazioni presso l’Università degli Studi di Catania. Questo lavoro è stato svolto presso il Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Elettronica e …
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Graphene Heterostructures with Wide Bandgap Semiconductors
Il Grafene (Gr) è un materiale bidimensionale costituito da una membrana carboniosa di spessore atomico, caratterizzata da una peculiare combinazione di eccellenti proprietà elettriche, ottiche, termiche e meccaniche. La sua principale limitazione per applicazioni nell'ambito della …
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Comprehensive Analysis of Proton Irradiation Effects on 4H-SiC Power Devices: Characterization, Simulation, and Optimization for Enhanced Performance [Analisi completa degli effetti dell'irradiazione protonica sui dispositivi di potenza in 4H-SiC: caratterizzazione, simulazione e ottimizzazione per migliorarne le prestazioni]
Lo sviluppo dei materiali e dei dispositivi basati sui semiconduttori ha determinato significativi progressi tecnologici nel corso dell'ultimo secolo. Recentemente, la richiesta di nuove capacità di funzionamento nei dispositivi elettronici, come la flessibilità e il lavoro ad alte temperature, …
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AlGaN/GaN heterostructures for enhancement mode transistors
Oggigiorno il continuo aumento della domanda di energia elettrica è divenuto un problema globale. Infatti la riduzione del consumo di energia è diventato il compito principale della moderna elettronica di potenza. In questo contesto, i semiconduttori a larga banda, come il nitruro di gallio (GaN) …
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Studio multiscala degli stati elettronici e di spin indotti da difetti di punto in semiconduttori a banda larga e prospettive per le tecnologie quantistiche
Il nostro obiettivo principale è l'analisi dei difetti di punto nei semiconduttori a larga banda. Li studiamo dapprima da principi primi attraverso l'uso di metodi ab initio basati sulla teoria del funzionale densità, quindi utilizziamo altri mezzi di analisi per trovare possibili applicazioni …
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Dispositivi di Potenza Innovativi in Si, SiC e GaN: Modelli, Caratterizzazione e Aspetti Applicativi
I dispositivi di potenza a semiconduttore si stanno sempre più diffondendo, a causa delle nuove applicazioni nell’ambito delle energie rinnovabili e nei veicoli elettrici. L’esigenza di approfondire gli studi su questi argomenti è suggerita e stimolata anche dalla recente disponibilità dei nuovi …
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WBG-based Current Source Inverter for Motor Drive Application [Inverter a Corrente Impressa con dispositivi WBG per azionamenti elettrici]
… dell'utilizzo degli inverter a sorgente di corrente (CSI) nelle applicazioni di azionamento dei motori. Il principio di funzionamento del CSI viene inizialmente discusso attraverso un modello analitico, insieme a un'analisi delle transizioni di commutazione e del processo di commutazione. …