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Modulation des Fremdstoffeinbaus bei III-V-Halbleitern durch zeitabhängige Transport- und anisotrope Phasengrenzphänomene
Der Einfluss unterschiedlicher Transport- und atomarer Einbaumechanismen auf das Wachstum von III-V-Verbindungshalbleitern wird mithilfe der Charakterisierungsmethoden Phasenkontrastmikroskopie und hochauflösender Photolumineszenz am Beispiel von aus der metallischen Lösung gezüchtetem …