Global ETD Search
Search theses and dissertations gathered from participating repositories worldwide. Every result links back to the library that holds it. No account is needed.
Results
Showing 1 to 19 of 19 for “"epitaktisch"”.
-
Geometrische Struktur und Morphologie epitaktisch gewachsener ZnSe-Schichtsysteme
Halbleiterbauelemente sind im täglichen Leben allgegenwärtig und haben in den letzten Jahrzehnten unseren Lebensstil vollkommen verändert.Während diemikro-elektronischen Bauelemente hauptsächlich auf Silizium-Technologie basieren, gewannen Anfang der 90-ziger Jahre Verbindungshalbleiter wie GaAs, …
-
Multiferroische Schichtsysteme: Piezoelektrisch steuerbare Gitterverzerrungen in Lanthanmanganat-Dünnschichten
… Schicht aus PbZr0,52Ti0,48O3 untersucht. Der epitaktisch auf Einkristallsubstraten abgeschiedene Aufbau entspricht einer Feldeffekt-Transistor-Struktur. Neben den Effekten der Dehnung auf den elektrischen Widerstand der Manganatschicht wird auch der elektrische Feldeffekt untersucht. Durch …
-
Untersuchung der oberflächenverstärkten Infrarotabsorption am System Kohlenmonoxid auf dünnen Eisenfilmen
… auf kristallinen Facetten an den Oberflächen der epitaktisch gewachsenen Eisenfilme zugeordnet werden. Die hohe Intensität der Linien entspricht einer oberflächenverstärkten IR-Absorption (SEIRA) um etwa zwei Größenordnungen. Bei jedem der Filme hat die stärkste der Linien eine von der …
-
Strain and lattice distortion in semiconductor structures : a synchrotron radiation study
… kann. Der zweite Teil ist der Untersuchung von epitaktisch gewachsenen und geätzten Oberflächengittern mit Abmessungen im Submikrometer-Bereich gewidmet. Die unterschiedlichen Gitterkonstanten der beteiligten Halbleitermaterialien führen zu einem inhomogenen Verzerrungsfeld in der Probe, das …
-
Two dimensional magnetic surface compounds: The c(2x2) Mn-induced superstructures on the fcc-(001) surfaces of Cu, Fe, Co and Ni
… Es konnte weiterhin gezeigt werden, daß Kupfer epitaktisch auf dieser Oberfläche aufwächst und weitere c(2x2)MnCu Sequenzen gewachsen werden können, wobei sich auch hier die Manganatome in einem magnetischen Grundzustand befinden. Es wird das Wachstum von Mangan auf Eisen, Kobalt und Nickel …
-
Poly-Si films on ZnO:Al coated glass prepared by the aliminium-induced layer exchange process
… zeigten keine Beeinflussung der Defektdichte der epitaktisch verdickten poly Si-Schichten durch die Einführung der ZnO-Schicht. Insgesamt gelang es poly-Si Schichten auf ZnO:Al mit dem ALILE-Verfahren und nachfolgender epitaktischer Verdickung herzustellen und erfolgreich in Solarzellen …
-
Magnetic coupling in (GaMn)As ferromagnetic semiconductors – studied by soft x-ray spectroscopy
… sowie die Hybridisierung der Mn Atome in epitaktisch gewachsenen (GaMn)As Schichten mittels Röntgen Absorptions Spektroskopie und magnetischem Röntgen zirkular Dichroismus an den Mn L3,2 Absorptionskanten untersucht. Durch die Kombination von oberflächen- und volumen-sensitiven …
-
Herstellung und Charakterisierung von Nanostrukturen auf der Basis von II-VI-Materialien mittels der Schattenmaskentechnologie
… Halbleiter-Kristalle strukturieren die zuvor epitaktisch flächig aufgewachsenen Schichten nachträglich. Hierdurch können Probleme entstehen. Etwa erzeugen nach einem nasschemischen Ätzprozess freistehende Quantentröge im Randbereich Oberflächenzustände, die zu nicht strahlender Rekombination …
-
Von der organischen Heteroepitaxie zu organisch-organischen Heterostrukturen
… Au(111) als auch auf Au(100) als point-on-line epitaktisch klassifiziert werden. Die HBC-Schichten auf Au(111), Au(100)hex und Graphit zeigen abweichend von der Kristallstruktur eine hexagonale Symmetrie. Auf Graphit wächst HBC in einer kommensurablen Struktur. Auf den beiden Au-Oberflächen …
-
Design, Epitaxie und Charakterisierung AlGaN-basierter Leuchtdioden mit Emissionswellenlängen unterhalb von 250 nm
… für das Wachstum der LED-Heterostrukturen wurde epitaktisch lateral überwachsenes (ELO) AlN auf Saphir genutzt. Es zeigte sich, dass die Oberflächenmorphologie abhängig vom Saphir-Fehlschnitt ist und für Winkel von ≤ 0,12° zu wellenartigen Oberflächen führt, wohingegen Winkel ≥0,16° zu …
-
Entwicklung von optisch pumpbaren UVC-Lasern auf AlGaN-Basis
… wurde der Einfluss verschiedener Aspekte des epitaktischen Wachstums und des Heterostrukturdesigns auf optisch gepumpte AlGaN-Laser mit Emissionswellenlängen im Bereich von 240 nm untersucht. Dabei wurden neue Erkenntnisse über elektrische und optische Verlustmechanismen gewonnen, die über den …
-
Wachstum, Mikrostruktur und hartmagnetische Eigenschaften von Nd-Fe-B-Schichten
… dem Tantalbuffer abgeschieden wurden, konnte das epitaktische Wachstum von Nd2Fe14B nachgewiesen werden. Auch diese Schichten zeigen die Mikrostruktur der isoliert voneinander stehenden Körner. Obwohl die Korngröße dieser Körner etwa 2 µm beträgt, zeigen diese Schichten ein Koerzitivfeld von bis …
-
Textur- und Mikrostrukturentwicklung bei der ionenstrahlunterstützten Laserdeposition von MgO
… Schichten zu erhalten, muß die Keimschicht epitaktisch weitergewachsen werden. Voruntersuchungen an Einkristallen zeigten, daß mit PLD eine Homoepitaxie ab einer Temperatur von 300°C möglich ist. Allerdings wurde bei der Deposition auf würfelorientierten MgO-Keimschichten ein Texturwandel zu …
-
Epitaxial nanolayers of large organic molecules
… Frage zu klären, inwieweit diese großen Aromate epitaktisch auf anorganischen als auch organischen Substraten aufwachsen. Organisch-anorganische Schichtsysteme wurden durch Aufdampfen der Quaterrylenderivate auf einkristalline, rekonstruierte Goldoberflächen erzeugt und anschließend mit LEED und …
-
Structural dynamics of photoexcited nanolayered perovskites studied by ultrafast x-ray diffraction
This publication-based thesis represents a contribution to the active research field of ultrafast structural dynamics in laser-excited nanostructures. The investigation of such dynamics is mandatory for the understanding of the various physical processes on microscopic scales in complex materials …
-
Dünnschichtsysteme für den Einsatz in magnetischen Tunnelstrukturen
In recent years there has been increasing interest in the preparation and characterization of magnetic multilayer systems. The possibility of information storage based on magnetic properties exhibits a large application potential in mass storage devices. Especially the discovery of the GMR (giant …
-
Ultraschnelle optoelektronische und Materialeigenschaften von Stickstoff-haltigem GaAs
This work summarizes properties of nitrogen containing GaAs, which are relevant for optoelectronic application and allow a deeper insight in the physics of this material. In the first part the dependence of the banggap energy of nitrogen implanted GaAs on several process parameters (implanted …