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Results
Showing 1 to 11 of 11 for “"Versetzungen"”.
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Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang-Bipolartransistoren
… und zum Wachstum und zur Ausbreitung von Versetzungen. Die Defektentstehung und -ausbreitung konnten mithilfe von Elektrolumineszenzuntersuchungen beobachtet werden. Untersuchungen in TEM zeigten, dass degradierte HBTs Versetzungen aufweisen, die vom Emitter ausgehen und in die Basis …
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Realstrukturuntersuchungen von Seltenerd-Übergangsmetall-Borokarbiden
… Stapelfehlern und der Bevorzugung der <110]-Versetzungen wurden in "inhomogenen" Proben (bei 1100°C geglühten Polykristalle bzw. rasch abgeschreckter Einkristall) beobachtet. Hingegen heilen die Stapelfehler und Versetzungen durch eine Glühung bis 1450°C bzw. durch langsames …
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Struktur, Kinematik und Mechanik eines aktiven Detachments : Woodlark Basin - Auswertung ODP Leg 180
… Korngröße und der Dichte der freien Versetzungen die Differentialspannungen ermittelt, bei der die kristallplastischen Mikrostrukturen entstanden. Nach der Kalibration von TWISS (1977) ergeben die durchschnittlichen rekristallisierten Korngrössen (17mm bis 40mm) Differentialspannungen …
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Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN Leuchtdioden
… an Schrauben-, Stufen- und gemischte Versetzungen limitiert. Bezüglich der Ladungsträgerinjektion in den aktiven Bereich hat sich das Mg-Dotierprofil als ein sehr wesentlicher und kritischer Parameter herausgestellt. Das Mg-Dotierprofil wird beim Schichtwachstum sowohl durch …
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Entwicklung von optisch pumpbaren UVC-Lasern auf AlGaN-Basis
… führen sie aber auch zum Abknicken von Versetzungen und damit zu einer insgesamt reduzierten Versetzungsdichte, was sich positiv auf die Ladungsträgerrekombination auswirkt. Die Daten deuten außerdem darauf hin, dass die Versetzungen auch als optische Streuzentren wirken. Es wird …
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition of High-Performance GaAs-Based Quantum-Dot Lasers
… QP-Wachstumstemperaturen um 500°C führen zu Versetzungen und Punktdefekten. Durch den Temperschritt wurde die Dichte solcher Defekte drastisch reduziert. Laser mit getemperten QPen zeigen bei Raumtemperatur Transparenzstromdichten um 6 A/cm^2 pro QP-Schicht bei Emissionswellenlängen zwischen …
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Austausch von Silizium durch die dreiwertigen Kationen von Eisen und Aluminium in CaSiO3-Perowskiten: Mechanismen und Auswirkungen auf die Mineralogie der Übergangszone
… geordneter Defektperowskite ist relativ arm an Versetzungen, weist jedoch eine reiche Verzwillingung nach zwei verschiedenen Gesetzmäßigkeiten auf. Zum einen handelt es sich um ferroelastische Zwillinge, welche zusammen mit einer geringfügigen Gitterverzerrung von einer rhomboedrischen Symmetrie …
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Synthese, Charakterisierung und Materialeigenschaften borreicher Boride und Boridcarbide des Magnesiums und Aluminiums
… und Anzahl von Kristalldefekten, speziell von Versetzungen. Ziel war es die Mittelwerte der kritischen Spannungen von c-BN und B48Al3C2 sinnvoll in Relation zueinander zu setzen bzw. nur als Funktion der entsprechenden Kristallstrukturen und -defekte zu begreifen. Dazu wurde der Einfluss der …
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Wachstum von dreidimensionalen Germaniuminseln auf unverspannten und verspannten Silizium(001)-Oberflächen
This thesis is dedicated to the scanning tunneling microscopical investigation of the influence of strain and relaxation on the epitaxial growth of germanium on conventional silicon substrates, as well as on silicon-germanium substrates covered by a strained silicon layer. With respect to a …