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Results
Showing 1 to 7 of 7 for “"Verbindungshalbleiter"”.
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Numerische Simulation zeitabhängiger Wachstumsprozesse bei der Kristallzüchtung aus metallischen Lösungen
… <br>Mikrogravitationsexperiments, bei dem der Verbindungshalbleiter InP aus einer <br>Indium-Lösungszone gezüchtet wurde. Die im gezüchteten Kristall sichtbaren <br>periodischen Wachstumsratenschwankungen lassen sich mit der Simulation auf <br>eine periodische Änderung der Restgravitation durch …
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Elektrochemische Legierungsabscheidung zur Herstellung von Cu2ZnSnS4 Dünnschichtsolarzellen
… für Dünnschichtsolarzellen geeigneten Verbindungshalbleiter Cu2ZnSnS4 (CZTS) und Cu2ZnSnS(4-x)Sex (x<3, CZTSSe) konnten erfolgreich durch Kombination der elektrochemischen Legierungsabscheidung und der anschließenden Sulfurisierung in H2S-haltiger Atmosphäre hergestellt werden. In …
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Elektronische Zustände in Typ-III-Halbleiterheterostrukturen
… Diese quecksilberhaltige Legierung ist ein II-VI-Verbindungshalbleiter und zeichnet sich durch eine legierungs- und temperaturabhängige fundamentale Energielücke aus. Die Bandstruktur ist je nach Temperatur und Legierungsfaktor x einerseits halbleitend, anderseits aber halbmetallisch. Die …
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Geometrische Struktur und Morphologie epitaktisch gewachsener ZnSe-Schichtsysteme
… basieren, gewannen Anfang der 90-ziger Jahre Verbindungshalbleiter wie GaAs, GaN, CdHgTe oder ZnSe für opto-elektronische Bauelemente immer stärkere Bedeutung. Besonders der II-VI Halbleiter ZnSe war wegen seiner großen Bandlücke und seiner geringen Versetzungsdichte einer der größten …
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Shadow mask assisted heteroepitaxy of compound semiconductor nanostructures
Shadow Mask assisted Molecular Beam Epitaxy (SMMBE) is a technique enabling selected area epitaxy of semiconductor heterostructures through shadow masks. The objective of this work was the development of the SMMBE technique for the reliable fabrication of compound semiconductor nanostructures of …
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MOVPE growth and characterization of Al Kappa Ga 1 - Kappa N/GaN heterostructures for HEMT application
In this thesis the MOVPE growth of AlN, GaN and AlGaN/GaN heterostructures on sapphire substrates was investigated with respect to HEMT application. The prerequisites for excellent HEMT devices were defined with respect to their structural properties: the HEMT structure should consist of a highly …
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Characterization of Novel Pyroelectrics
The change of the spontaneous polarization due to a change of temperature is known as the pyroelectric effect and is restricted to crystalline, non-centrosymmetric and polar matter. Its main application is the utilization in infrared radiation sensors, but usage for waste heat energy harvesting or …