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Results
Showing 1 to 2 of 2 for “"Transistores de Alta Movilidad Electrónica"”.
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Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN
La tecnología de nitruros es actualmente la más prometedora para la fabricación de dispositivos eléctricos de alta eficiencia en potencia a altas frecuencias y temperaturas presentando un alto valor de voltaje de ruptura, aunque sus posibilidades están todavía por debajo de las expectativas …
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Ingeniería de estructura y composición de nitruros componentes de transistores HEMT de nueva generación
The present Ph. D. thesis entitled “Ingeniería de estructura y composición de nitruros componentes de transistores HEMT de nueva generación” (Engineering of structure and composition of nitrides for their implementation in novel HEMT transistors) has been carried out in the Department of Material …