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Results
Showing 1 to 20 of 22 for “"Transistores"”.
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Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares
… materiales más prometedores en el campo de los transistores de efecto campo para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura. Su principal atractivo radica en la anchura del gap (GaN 3.4 Ev), que le confiere una gran estabilidad térmica y tensión de ruptura (3MV/cm). A pesar de los valores …
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Ingeniería de estructura y composición de nitruros componentes de transistores HEMT de nueva generación
… y composición de nitruros componentes de transistores HEMT de nueva generación” (Engineering of structure and composition of nitrides for their implementation in novel HEMT transistors) has been carried out in the Department of Material Science and Metallurgical Engineering, and Inorganic …
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Fabricación, caracterización y modelado de transistores de heterounión de efecto campo basados en AlGaN/GaN
… más atractiva para el desarrollo de dispositivos transistores de efecto campo (FET) que funcionen a altas potencias y altas temperaturas.
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Uma ferramenta para automação da geração do leiaute de circuitos analógicos sobre uma matriz de transistores MOS pré-difundidos
… utiliza a técnica da associação trapezoidal de transistores (TAT) sobre uma matriz digital pré-difundida. A principal característica é a conversão de cada transistor simples de um circuito analógico em uma associação TAT equivalente, seguido da síntese automática do leiaute da associação …
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Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN
… para microondas, pero en la actualidad los transistores de alta movilidad electrónicas (HEMT) se han centrado en las comunicaciones para radiofrecuencia civiles, así como en otros sectores de electrónica de potencia. La comercialización ha hecho crecer el número de estudios relacionados con …
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Analysis and experimental characterization of nonlinear circuits applied to wireless communications systems
… basado en impedancias para amplificadores con transistores FET o amplificadores comerciales, propuesto para tener en cuenta los efectos de memoria en la intermodulación sin importar cuál sea su naturaleza.
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Filmes finos dielétricos para dispositivos microeletrônicos avançados
… vista a aplicação dessas estruturas em MOSFETs (transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), estudamos o consagrado óxido de silício (SiO2), os atuais substitutos oxinitretos de silício (SiOxNy) e o possível substituto futuro óxido de alumínio (Al2O3). Nossos resultados …
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Módulo amplificador de radiofrecuencia, de disponibilidad mejorada para los aceleradores de deuterones del dispositivo experimental Ifmif
… diseño de amplificadores de potencia basado en transistores de estado sólido. Los requisitos, los diseños, las características, los resultados de los primeros ensayos y el análisis RAMI de las características de ambas alternativas tecnológicas, se presentan y discuten en esta memoria de tesis.
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Statistical evaluation of sensitivity to radiation-induced transient effects in complex mixed-signal circuits
… enfoque de centrarse en los drenadores de los transistores CMOS. A pesar de las dificultades para lograr la convergencia entre las simulaciones y los resultados experimentales, la evaluación estadística basada en intervalos de confianza virtuales resulta ventajosa para evaluar la robustez del …
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Diseño y control de un convertidor electrónico de potencia del tipo reductor-elevador
… el manejo independiente de sus dos pares de transistores. Gracias a esta flexibilidad, es posible plantear distintos modos de operación para mejorar la eficiencia del sistema. La forma de trabajo del así llamado Buck-Boost de cuatro llaves se elige de acuerdo a la relación que existe entre el …
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Estudio de la estabilidad térmica del a-SiNx:H producido mediante la técnica de plasma ECR-CVD
… al óxido de silicio como aislante de puerta de transistores de efecto campo de estructura MOS en aquellos casos en que la continua reducción de las dimensiones laterales de los dispositivos conduce a alcanzar el mínimo espesor de óxido tolerable. Con posterioridad al crecimiento las muestras …
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Amplificadores de muy bajo ruido y mínimo consumo de energía, para aplicaciones médicas implantables
… sustitución de los espejos de corriente de dos transistores tradicionales. Se estudiaron analíticamente y mediante simulaciones las ventajas y desventajas; luego se diseñó, fabricó y caracterizó un espejo de corriente activo que funciona como fuente de corriente de 10μA con menos de 100mV de …
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Arquiteturas multi-tarefas simultâneas : SEMPRE : arquitetura SMT com capacidade de execução e escalonamento de processos
… em breve haverá a disponibilidade de bilhões de transistores para o desenvolvimento de circuitos integrados. Assim, a questão principal a ser encarada talvez seja: como prover instruções paralelas para uma arquitetura deste tipo? Sabe-se que a maioria das aplicações é seqüencial pois os problemas …
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Estudio de la estructura de defectos y de la relajación plástica en heteroestructuras multicapas de InGaAs/GaAs
… substancialmente las características de los transistores HEMT y HBT realizados actualmente con el sistema GaAs/AlGaAs. En el campo de la electrónica y comunicaciones, la producción de dispositivos basados en substratos de GaAs experimenta un crecimiento constante. De ahí la necesidad de …
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Análisis de arquitecturas multipuerto para la alimentación de sistemas electrónicos con múltiples flujos de energía
Este trabajo de tesis se centra en los sistemas flexibles de conversión de energía basados en un diseño modular con la capacidad de manejar múltiples entradas y salidas. Estos sistemas deben gestionar la energía eléctrica procedente de fuentes diferentes, con características dinámicas y estáticas …
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Proposal of Architecture and Circuits for Dynamic Range Enhancement of Vision Systems on Chip designed in Deep Submicron Technologies
… CIS usualmente no permiten nada más que transistores NMOS al lado del fotosensor, lo cual implica una seria restricción en el circuito a usar. Como resultado, el diseño de un sensor de imagen con mejora del rango dinámico en tecnologías CIS fue desestimado en favor del uso de una …
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Propuestas de diseño modular y agrupación en paralelo del convertidor elevador síncrono para sistemas de alimentación bidireccionales
En esta tesis se desarrolla el concepto de módulo de potencia y, por extensión, de un convertidor modular, definido como aquél que está formado por dos o más módulos de potencia. Esta premisa de agrupación modular se desarrolla en el marco particular de las aplicaciones bidireccionales, en las que …
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Estudio de la tolerancia a fallos de convertidores multipuerto basados en topologías MMC
El convertidor Modular Multinivel (MMC) se ha convertido en una de las topologías multinivel más atractivas para aplicaciones de media/alta tensión, en particular para los sistemas de transmisión HVDC (High Voltage Direct Current). Sus características destacables son: • Una elevada …
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Aportaciones al diseño de ADCs en tecnologías nanométricas y para entornos de alta radiación
… cada vez más elevadas y dimensiones de los transistores más y más pequeñas hacen que la influencia de los Efectos de Eventos Singulares (SEE) sea cada vez más crítica, tanto en los circuitos digitales como analógicos. La evolución de las tecnologías CMOS ha contribuido a incrementar los …
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