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Results
Showing 1 to 7 of 7 for “"Tantal"”.
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Phosphorylid-Chemie an Niob(V)- und Tantal(V)-N-Organoimiden
… Imido- und Amidoverbindungen des Niobs und Tantals zu synthetisieren und deren Reaktivität gegenüber Phosphoryliden zu untersuchen. Klassische Phosphorylid-Komplexe des Typs [LnM-CHR-PR'3] (R = Alkyl, Aryl, etc.) sind in der Literatur zahlreiche beschrieben. Metall-substituierte …
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Tantalmodifikationen auf Implantat-Stahl für kardiale Stents, Herstellung und Charakterisierung
… (Physical Vapour Disposition) hergestellte Tantal/Tantaloxidschichten auf Edelstahlplättchen wurden bezüglich ihrer mechanischen Eigenschaften und ihrer Biokompatibilität untersucht. Dabei kamen als Untersuchungsmethoden die Rasterelektronenmikroskopie (REM), das XRD (X-Ray Diffraction) und …
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Synthese und Charakterisierung neuer Pentamethylcyclopentadienyl-Halbsandwichkomplexe des Tantals mit N-haltigen Liganden
… Niobkomplexe und am kleinsten ist die Anzahl der Tantalverbindungen. Ziel der vorliegenden Dissertation war es, ausgehend von Cp*TaCl4 (1) neue Pentamethylcyclopentadienyl-Halbsandwichkomplexe des Tantals zu synthetisieren und zu charakterisieren. Halbsandwich-Azidokomplexe Zur Darstellung neuer …
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Wachstum, Mikrostruktur und hartmagnetische Eigenschaften von Nd-Fe-B-Schichten
… wurden sowohl auf Chrom- als auch auf Tantalbuffern deponiert. Ein Buffer wurde zur Einstellung der Mikrostruktur und zum Schutz der Nd-Fe-B-Schicht vor Diffusion und Reaktionen mit den Elementen des Substrates benutzt. Die Untersuchungen zeigten, dass der Chrombuffer diese Bedingungen …
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Strukturell komplexe intermetallische Phasen : Untersuchungen an binären und ternären Phasen der Systeme Ag-Mg und Ag-Ga-Mg
… bewährt. Die Entwicklung von Spritzdüsen aus Tantal ermöglichte die kontaminationsfreie Verarbeitung der Mg-haltigen Legierungen. Die Bestimmung der Kristallstrukturen inklusive der Fehlordnungsphänomene war für das Verständnis der Stabilität der KIP entscheidend. Da häufig zwischen …
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Untersuchungen zu Schichtwachstum und Grenzflächen an Ta-basierten Dünnschichten mittels XPS
In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Ta- und TaN-Schichten auf Si- und SiO_2-Substraten untersucht Die Schichten werden dabei unter technologienahen Bedingungen mittels Magnetron-Sputtern abgeschieden. Die Untersuchungen erfolgen hauptsächlich mit winkelaufgelöster …
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Dünne tantalbasierte Diffusionsbarrieren für die Kupfer-Leitbahntechnologie: Thermische Stabilität, Ausfallmechanismen und Einfluss auf die Mikrostruktur des Metallisierungsmaterials
Aufgrund der höheren elektrischen Leitfähigkeit und des größeren Widerstandes gegen Elektromigration im Vergleich zum Aluminium wird seit einigen Jahren Kupfer als Leitbahnmaterial in der Mikroelektronik eingesetzt. Da Kupfer jedoch eine hohe Beweglichkeit in den für die Halbleitertechnologie …