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Showing 1 to 1 of 1 for “"Si(111)-Substrat"”.
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Molekularstrahlepitaxie im Materialsystem Ga(N,Sb)
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Sb-Einbau in epitaktischen GaN-Schichten und dem N-Einbau in GaSb-Schichten im Hinblick auf die erstmalige Herstellung eines GaNxSb1-x - Mischkristalls. Die Schichten wurden mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie unter Verwendung von NH3 als N-Quelle, …