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Results
Showing 1 to 20 of 39 for “"Semiconductores"”.
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Contribución a la fabricación de heteroestructuras basadas en nitruros semiconductores para dispositivos más eficientes y baratos
… para determinar el tipo de polaridad de QDs de semiconductores III-N, usando para su demostración los InN-QDs presentes en estas heteroestructuras analizadas en la tesis. • Se estudiaron en detalle, con una amplia variedad de técnicas, películas delgadas de GaN depositadas sobre LTCC y otros …
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Desarrollo de la tecnología de MOVPE para el crecimiento de semiconductores III-V : fabricación de células solares para concentraciones luminosas elevadas
… para el crecimiento de células solares de semiconductores III-V para concentraciones luminosas elevadas. En la primera parte de la memoria se presentan los principios de la MOVPE y el estudio de los materiales semiconductores utilizados a lo largo de la tesis: GaAs, AlGaAs, GaInP y AlInP. …
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Fabricación, caracterización y modelado de transistores de heterounión de efecto campo basados en AlGaN/GaN
… Si y en GaAs. Sin embargo, estos materiales son semiconductores de banda prohibida (g£?p) estrecha y no cumplen todas las características que antes se han citado como óptimas para las aplicaciones de potencia. El rápido desarrollo que durante la última década han experimentado los semiconductores …
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Materiales de carbono como aditivos de fotocatalizadores de wolframio para la oxidación de contaminantes bajo luz solar
… con propiedades diversas como aditivos en semiconductores de wolframio. Así, se llevó a cabo la síntesis, caracterización y evaluación de la actividad fotocatalítica bajo radiación visible de fotocatalizadores Bi2WO6/C y WO3/C. Los resultados obtenidos muestran como el método de síntesis de …
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Avances y limitaciones de la técnica de microscopia electrónica de transmisión-barrido con detección de electrones a alto ángulo para el análisis de nuevos nanomateriales con aplicaciones en eficiencia energética.
… semiconductoras III-V. Los materiales semiconductores estudiados consisten en sistemas InAlAsSb-InP destinados al desarrollo de celdas solares ultra-eficientes con arquitectura multiunión, y en sistemas GaAsBi-GaAs para dispositivos fotónicos estables a la temperatura que operan en la …
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Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III
… confirman a las aleaciones de AlxGa1xN como los semiconductores más adecuados para la fotodetección selectiva en el rango ultravioleta del espectro.
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Propuestas de diseño modular y agrupación en paralelo del convertidor elevador síncrono para sistemas de alimentación bidireccionales
… de potencia mediante la adopción de dispositivos semiconductores de banda prohibida ancha, y las potenciales mejoras que estos dispositivos brindarían al convertidor modular.
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Role of interface configuration in diamond-related power devices
… actualmente disponibles comercialmente. Los semiconductores de ancha banda prohibida tienen propiedades particularmente atractivas para funcionar a altos voltajes y frecuencias en entornos de alta temperatura. Como semiconductores de ancha banda prohibida, los dispositivos basados en diamante …
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Análisis tomográfico a nanoescala de materiales nanoestructurados para dispositivos fotovoltaicos
… mayor potencial. El desarrollo de los materiales semiconductores es fundamental para materializar nuevos conceptos que incrementen la eficiencia de las celdas solares fotovoltaicas. En particular, la caracterización de las propiedades estructurales de los materiales semiconductores es …
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Aplicación de técnicas de control y procesamiento de señales en amplificadores de audio de alta eficiencia y baja distorsión
… entre el encendido y el apagado de los semiconductores de potencia en el contenido espectral de la señal. Se muestra que establecen un límite en la distor-sión que no puede reducirse incrementando la frecuencia de la portadora, o cambiando la técnica de modulación. Se estudian e …
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Estabilidad de puentes líquidos axilsimétricos
… típicos del ángulo de crecimiento en materiales semiconductores y para volúmenes de líquido próximos al del cilindro de radio el radio medio de los discos.
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Efecto de la incorporación de antimonio sobre la nanoestructura de puntos cuánticos III-V/III-V
… incorporación de antimonio en nanoestructuras de semiconductores III-V supone una mejora en los valores de intensidad fotoluminiscente. Esto se debe al cambio en la estructura de bandas que produce la introducción de este elemento motivado, principalmente, por los cambios de composición del …
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Hidrostática de la zona flotante
… por la tecnología de purificación de metales semiconductores por crecimiento cristalino). A primeros de los años 70 y en el marco de las posibilidades que se abrían en Europa para la experimentación en ingravidez con el proyecto de laboratorio espacial SPACELAB, el Profesor Da Riva se interesó …
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Optoelectronic Characterization by Advanced Ab-Initio Methods of Novel Photovoltaic Intermediate Band Materials = Caracterización optoelectrónica por métodos ab-initio avanzados de nuevos materiales fotovoltaicos de banda intermedia
… coste. En esta tesis presentamos un estudio de semiconductores sustituidos con metales de transici´on basado en sus propiedades optoelectr´onicas. Estos materiales se propusieron como absorbentes de alta eficiencia para c´elulas fotovoltaicas de banda intermedia, ya que presentan una banda …
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Estrategia de enseñanza para la transformación de la energía solar y la energía química del agua en energía eléctrica
… son la fuerza electromotriz (FEM), la teoría de semiconductores y el modelo de bandas, los cuales se utilizaron en el desarrollo de la investigación como modelos explicativos de la transformación de la energía solar. Igualmente con el estudio físico químico de toda la transformación de la energía …
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Miocardiopatía hipertrófica: Identificación de nuevos genes mediante técnicas de secuenciación masiva
… protocolo de secuenciación masiva mediante chips semiconductores (NGS Ion Torrent Personal Genome Machine, PGM) para el cribado de los principales genes asociados a la MCH, de tal manera que pudiéramos aumentar la cantidad de genes estudiados a la vez que disminuíamos los costes y el tiempo …
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Estudio de la tolerancia a fallos de convertidores multipuerto basados en topologías MMC
… soluciones basadas en el uso de los propios semiconductores del convertidor para frenar la corriente de fallo, evitando que se dañen sus dispositivos y consiguiendo rearmar el sistema en un tiempo muy reducido. Estas soluciones se centran en la modificación de la estructura de celda del …
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Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares
… han sido considerados durante muchos años como semiconductores ideales para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos que funcionen en el margen azul-ultravioleta (UV). La posibilidad de sintetizar los distintos compuestos ternarios, hacen que estas aleaciones de gap directo cubran un …
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