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Results
Showing 1 to 19 of 19 for “"Semi-conducteurs"”.
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Impact de l'utilisation de composants au carbure de silicium sur la mise en oeuvre d'un chargeur bidirectionnel
… cet appareil est intégré au véhicule. Les semi-conducteurs au carbure de silicium (SiC) présentent une percée substantielle pour atteindre le rendement et la densité énergétiques nécessaires pour un tel convertisseur. Les impacts de l’utilisation du SiC dans la conception et la mise en …
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Propriétés électriques et optiques des conducteurs ioniques transparents
… dopage très intéressante pour la conception de conducteurs ioniques pouvant être utilisés dans des systèmes électrochromes à semi-conducteurs transmissifs ou appelés « fenêtres intelligentes ».
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Commande de moteur à vitesse variable pour le contrôle environnemental d'un maison
… en raison de la diminution continue de prix des semi-conducteurs, les commandes à vitesses variables deviennent plus abordables et donc plus attrayantes. Cette étude couvre plusieurs méthodes rentables pour la commande de moteur à basse puissance à courant alternatif (CA) et à courant continu …
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Contrôle et caractérisation d’un qubit singulet-triplet entraîné par l’interaction spin-orbite dans le silicium
Les spins dans les semi-conducteurs sont d’excellents candidats pour l’implémentation d’un ordinateur quantique universel puisqu’ils sont compacts, peuvent être opérés à des températures relativement élevées, ont le potentiel d’atteindre des temps de cohérence très longs, et peuvent être combinés …
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Sur la réversibilité de l'électroluminescence et du photovoltaïsme au sein des dispositifs organiques ITO/TPD/Alq3/A1
… formant le dispositif doit se comporter comme un semiconducteur de type «p», ici le TPD, tandis que 1’Alq3 est de type «n». Ces dispositifs ont un bon rendement quantique, de l’ordre de 1 %, lorsqu’une tension d'environ +20 V y est appliquée. Or, il est bien connu qu’une diode inorganique peut …
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Étude par spectroscopie pompe-sonde de la dynamique des porteurs de charges dans des nanostructures d'InAs/InAlAs/InP
Ce mémoire présente les principales étapes de la mise en place d'un système de spectroscopie pompe-sonde en transmission ainsi que les résultats expérimentaux obtenus à l'aide de cette méthode sur des structures à fils quantiques d'InAs/InAlAs/InP. Les dimensions de ces fils sont de quelques …
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Jadis synchrones, désormais GALS, les architectures de FPGA
… par les avancées seules des technologies des semi-conducteurs. À un certain point, on s'attend à ce que les concepteurs et les fabricants doivent abandonner la méthodologie de conception synchrone traditionnelle pour une méthodologie localement synchrone globalement asynchrone (GALS). De tels …
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Étude du contact électromécanique Au−Ru/AlCu pour les MEMS RF ohmiques : modélisation, intégration et caractérisation
… à l'état solide utilisant la technologie des semi-conducteurs telles les diodes PIN et les transistors FET ou (ii) de relais électromagnétiques. Chacune de ces technologies offre un compromis entre la fréquence d'opération, la linéarité, la capacité à transporter la puissance RF, les pertes …
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Au sujet du rôle des couches intercalaires et des mouvements moléculaires au sein de dispositifs électroluminescents organiques
"Depuis la création des dispositifs électroluminescents organiques (DiÉlO), l’intérêt envers ceux-ci continue d’augmenter. L’objectif de cette thèse est d’étudier la courbe caractéristique courant-tension des DiÉlO, afin de déterminer si, tel qu’attendu, l’influence de couches isolantes …
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Coefficient d'absorption d'un système Peierls avec un gap fluctuatif
Nous présentons dans ce mémoire, le calcul du coefficient d'absorption d'un composé de type Peierls en régime fluctuatif. Nous utilisons une méthode perturbative compatible avec la théorie du groupe de renormalisation à la Kadanoff-Wilson. Il s'agit de reformuler la formule de Kubo pour la …
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Supraconductivité d'interface dans des bicouches de Pr[indices inférieurs 2-x]Ce[indice inférieur x]CuO[indice inférieur 4] sous-dopé et de La[indices inférieurs 2-x]Sr[indice inférieur x]CuO[indice inférieur 4] sur-dopé
… l'on met en contact deux cuprates non-supraconducteurs par le fait de leur dopage, il était possible de faire apparaître de la supraconductivité à l'interface entre ceux-ci. De telles observations ont été faites pour des multicouches de cuprates dopés aux trous et des multicouches de …
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Émission de lumière blanche et physique des dispositifs électroluminescents organiques incorporant des nanocristaux fluroscents
"Depuis les vingt dernières années, la recherche dans le domaine des dispositifs électroluminescents à base de matériaux organiques s'est intensifiée. En effet, cette technologie permet la fabrication de nouvelles sources lumineuses. Ce travail porte sur l'étude des propriétés électroluminescentes …
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Préparation par décharge luminescente du silicum microcristallin dopé et étude de ses propriétés de transport électrique et structurales
Ce travail porte sur l'étude des propriétés de transport électrique du silicium microcristallin fortement dopé au bore, en fonction des principales caractéristiques structurales: concentration de dopants, taille de grains et fraction cristalline. Deux procédés d'élaboration par décharge …
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Procédés de gravure à faible endommagement des surfaces : application à la gravure SiN sur AlGaN/GaN pour les transistors à haute mobilité électronique
Les semi-conducteurs en Nitrure de Gallium (GaN), constituent des matériaux prometteurs pour la fabrication de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) pour les prochaines générations de dispositifs de puissance, grâce à leurs propriétés physiques exceptionnelles adaptées aux applications à …
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Effets de l'irradiation sur l'arséniure de gallium dopé au silicium de type n : observation optique de la lacune de gallium
Dans ce travail, nous présentons l'étude de l'effet de l'irradiation sur l'arséniure de gallium (GaAs) en fonction de la nature et de l'énergie de la particule irradiante. A cette fin, nous avons irradié des échantillons de GaAs dopé au silicium de type n obtenus par la méthode d'épitaxie en phase …
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Croissance de Ge/Si et investigation de la contrainte thermique dans un substrat virtuel à base de nano-cavités
L’intégration des matériaux III-V sur silicium (Si), est une voie prometteuse de développement des composants optoélectroniques III-V à hautes performances et à faible coût. Cependant les différences entre les propriétés intrinsèques des matériaux III-V et le Si (paramètre de maille, différence de …
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Investigation de la déformation spectrale d'un appareil optique à irradiation polychromatique
"L'objectif de cette thèse est de développer et des tester diverses méthodes de correction permettant de corriger numériques les spectres optiques obtenus avec l'ellipsomètre de fabrication locale."-- f. 4