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Results

Showing 1 to 11 of 11 for “"PVD-Verfahren"”.

  1. Funktionale dünne Schichten auf Polymeren durch die Deposition energiereicher Cluster

    … behandelt eine Weiterentwicklung des ECI-Verfahrens (Energetic Cluster Impact) und die damit mögliche Metallisierung bzw. Verglasung von Polymeren. <br>Das ECI-Verfahren ist ein PVD-Verfahren, bei dem durch die Deposition von Clusterionen hoher kinetischer Energie dünne Schichten im …

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  2. Beschichtung von textilen Flächen mit den PVD-Technologien reaktives Vakuumbogen-Verdampfen und reaktives Magnetron-Sputtern : PVD-Beschichtung von textilen Flächen

    … Schichten auf textilen Flächengebilden mit den PVD-Technologien reaktives Magnetron-Sputtern und reaktives Vakuumbogen-Verdampfen. Basis für die Realisierung der experimentellen Untersuchungen sind sowohl vorhandene industrielle PVD-Beschichtungsanlagen, die im Batchbetrieb arbeiten, als auch …

    qucosa-diss

  3. Ätzen von Titannitrid mit Halogenverbindungen

    … Um die zur Herstellung notwendigen ALD/PVD/CVD-Schichtabscheideanlagen in einen zuverlässigen Zustand zu versetzen, ist eine regelmäßige Kammerreinigung notwendig. Während des Abscheideprozesses werden nicht nur das Substrat, sondern auch die umliegenden Kammerteile beschichtet. Diese …

    qucosa-diss

  4. Theoretical and experimental studies related to the compositional and microstructural evolution of alumina thin films

    In this thesis, the correlation between plasma chemistry / ion energy and thin film composition / microstructure for cathodic arc deposited alumina thin films is investigated. To contribute towards understanding this correlation, both theoretical and experimental investigations have been performed. …

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  5. Resistive switching in Cu:TCNQ thin films

    Recently there has been a growing interest in alternative non-volatile memory technology concepts for massive data storage, which have the potential to eventually replace Flash in future CMOS generations. Resistive switching materials, which can be incorporated in simple metal-isolator-metal (MIM) …

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  6. Combinatorial material synthesis applied to Ge-Sb-Te based phase change materials

    The rapidly increasing net amount of digital information requires higher data- storage capacities and transfer rates. Consequently, there is a need for a continuous improvement of the media concept and design. Phase change recording technology offers attractive features for erasable data storage …

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  7. Zytotoxizitätsprüfung verschiedener Silbertitanlegierungen auf Titanbasis mittels humaner Osteoblasten

    In der vorliegenden Arbeit wurde die Zytotoxizität verschiedener Schichten bestehend aus Silber-Titanlegierungen auf Titanbasis mittels der humanen Osteoblastenzelllinie hFOB 1.19 geprüft. Es sollte der Einfluß des Silberanteils in der Beschichtung auf die Zellen getestet werden. Es wurde die …

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  8. Influence of the plasma chemistry and energetics on the composition and structure evolution of sputtered oxide thin films

    In the thesis, the relationship between the plasma chemistry and energetics, and the thin film composition and structure evolution of transition metal oxide thin films deposited by magnetron sputtering in an Ar/O2 atmosphere is investigated as a function of the O2 partial pressure (p(O2)). The …

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  9. Kombinatorische PVD-Synthese und Strukturuntersuchungen der Ge-Sb-Te-Schichten

    … gradient were deposited using a combinatorial PVD technique (magnetron sputtering). The samples with a compositional gradient up to 20 at. % had the following composition in the centre: Ge1Sb4Te7, Ge1Sb2Te4, Ge2Sb2Te5, Ge3Sb2Te6, and Ge4Sb1Te5. The films' structure was analyzed using X-ray …

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