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Results
Showing 1 to 7 of 7 for “"Nitruros del grupo III"”.
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Contribución al desarrollo y caracterización de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo III
… de detectores avanzados, basados en nitruros del grupo III. Es decir, se pretende la utilización de nitruros de galio, indio y aluminio, de manera que se aprovechen las cualidades específicas de estos materiales, para la fabricación de fotodetectores que destaquen y mejoren el actual …
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Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III
… se analizan las principales propiedades de los nitruros del grupo III ylos parámetros más importantes que caracterizan el comportamiento de los fotodetectores de semiconductor. Posteriormente, se detallan los distintos tipos de fotodetectores fabricados en este trabajo (fotoconductores, …
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Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares
Los nitruros del grupo III (GaN, Aln, InN) han sido considerados durante muchos años como semiconductores ideales para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos que funcionen en el margen azul-ultravioleta (UV). La posibilidad de sintetizar los distintos compuestos ternarios, hacen que estas …
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Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta
… por plasma (PA-MBE) de compuestos (0001) III-N. Su estudio viene motivado por la necesidad de mejorar las prestaciones de los diodos electroluminiscentes (LED) con emisión en el rango visible-ultravioleta para su aplicación en sistemas de iluminación con luz blanca, sistemas de …
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Ingeniería de estructura y composición de nitruros componentes de transistores HEMT de nueva generación
… “Ingeniería de estructura y composición de nitruros componentes de transistores HEMT de nueva generación” (Engineering of structure and composition of nitrides for their implementation in novel HEMT transistors) has been carried out in the Department of Material Science and Metallurgical …
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Contribución a la fabricación de heteroestructuras basadas en nitruros semiconductores para dispositivos más eficientes y baratos
… presente tesis versa sobre aquellos materiales III-N que constituyen películas delgadas y/o nanoestructuras basadas en los compuestos GaN, InN y AlN, o en las aleaciones ternarias de InGaN, depositadas sobre substratos no nativos (de composición distinta a la del nitruro semiconductor): silicio …
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Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN
La tecnología de nitruros es actualmente la más prometedora para la fabricación de dispositivos eléctricos de alta eficiencia en potencia a altas frecuencias y temperaturas presentando un alto valor de voltaje de ruptura, aunque sus posibilidades están todavía por debajo de las expectativas …