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Results
Showing 1 to 20 of 27 for “"Molekularstrahlepitaxie"”.
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Molekularstrahlepitaxie im Materialsystem Ga(N,Sb)
… Die Schichten wurden mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie unter Verwendung von NH3 als N-Quelle, sowie Ga- und Sb-Feststoffquellen auf Si(111)-und GaSb(001)-Substraten abgeschieden. Der N-Einbau wurde auch in homoepitaktischen GaSb-Schichten überprüft. <br>Theoretischen Berechnungen …
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Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von (Ga,Mn)As Halbleiterschichten
In der Spintronik bestehen große Bemühungen Halbleiter und ferromagnetische Materialien zu kombinieren, um die Vorteile der hoch spezialisierten Mikroelektronik mit denen der modernen magnetischen Speichertechnologie zu verbinden. In vielen Bereichen der Elektronik wird bereits der III-V Halbleiter …
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Elektronische Zustände in Typ-III-Halbleiterheterostrukturen
Seit 1988 werden mit dem Verfahren der Molekularstrahlepitaxie (MBE: Molecular Beam Epitaxy) am Physikalischen Institut der Universität Würzburg Halbleiterheterostrukturen aus dem Halbleitermaterialsystem Hg(1-x)Cd(x)Te hergestellt. Diese quecksilberhaltige Legierung ist ein …
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Molekulare Systeme im Wechselspiel von Struktur und Ladung
… und Titanylphthalozyanin (TiOPc), die mittels Molekularstrahlepitaxie abgeschieden werden, wird der Einfluss der Anordnung der Moleküle und der gegebenenfalls hinzugefügten Dotierung auf die messbaren Eigenschaften untersucht. Wie wichtig dabei die Feinabstimmung zwischen den Gitterkonstanten …
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Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten
… der Schichten erfolgte heteroepitaktisch mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf den Substraten Al2O3 (0001), Si (111) und 6H-SiC (0001). <br>Die Untersuchungen konzentrierten sich auf Oberflächenmorphologie und Mosaikstruktur der Nitrid-Schichten, die Bildung von Stapelfehlern und Polytypen in …
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Infrarot-Diodenlaser auf der Basis der III-V-Antimonide
… zwischen 1.8µm und 2.4µm, die mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie in dem bisher wenig untersuchten (AlGaIn)(AsSb)-Materialsystem realisiert wurden. Durch die Untersuchung der elektrischen, optischen und thermischen Eigenschaften dieser GaSb-basierenden Laserstrukturen sowie begleitender …
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(GaIn)(AsP)- und (GaIn)(AsN)-Halbleiterheterostrukturen und ihre Anwendung in Diodenlasern
… die Metall-Organische Gasphasenepitaxie und die Molekularstrahlepitaxie zum Einsatz. Anhand von Wachstumsstudien wurde der zur Herstellung qualitativ hochwertiger Schichten notwendige Parameterbereich ermittelt. <br>Ausgehend von der grundlegenden physikalischen Fragestellung, welche maximale …
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Präparation und Charakterisierung von Goldnanokristallen und Nanomultilayerspiegeln für Röntgenbeugungsexperimente
… hat den Zweck, Nanogoldkristalle mit Hilfe des Molekularstrahlepitaxie-(MBE-)Verfahrens herzustellen. Im vierten Kapitel werden der Aufbau des DXT-Laborsystems dargestellt und sein Strahlprofil im Fokus, seine Divergenz und sein Strahlspektrum bestimmt. Hierauf aufbauend wird im fünften Kapitel …
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Optische Eigenschaften ultradünner PTCDA & TiOPc Einzel- und Heteroschichten
… Dies wurde mit der Kombination der Methoden der Molekularstrahlepitaxie (OMBE), der differentiellen Reflexionsspektroskopie (DRS) und Photolumineszenzmessungen möglich. Dabei steht der Übergang vom Einzelmolekül zum molekularen Festkörper im Mittelpunkt. Der realisierte optische Aufbau ermöglicht …
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Epitaxie von InAs-Quanten-Dash-Strukturen auf InP und ihre Anwendung in Telekommunikationslasern
… Strukturen wurden mittels einer Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie-Anlage unter Verwendung der alternativen Gruppe-V-Precursor Tertiärbutylphosphin (TBP) und -arsin (TBA) hergestellt. Die Bildung der Quantenpunktstrukturen wurde zunächst an Hand von Teststrukturen optimiert. Scheidet man …
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Von der organischen Heteroepitaxie zu organisch-organischen Heterostrukturen
… hochgeordnerter organischer Schichten wurde eine Molekularstrahlepitaxieanlage mit mehreren Kammern aufgebaut. Bei den Untersuchungen des Wachstums von PTCDA auf der Au(111)- und Au(100)-Fläche wurden drei Klassen von Strukturen gefunden: Eine Fischgrätenstruktur, deren Gitterparameter und …
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Dünnschichtsysteme für den Einsatz in magnetischen Tunnelstrukturen
In recent years there has been increasing interest in the preparation and characterization of magnetic multilayer systems. The possibility of information storage based on magnetic properties exhibits a large application potential in mass storage devices. Especially the discovery of the GMR (giant …
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Influence of material, surface reconstruction and strain on submonolayer growth at Si(111) and Ge(111) surfaces
The present work is dedicated to the experimental investigation of influence of strain, surface reconstruction, and material on the surface diffusion, nucleation, and growth of two-dimensional islands at the initial stage of the epitaxial growth on the Ge(111) and Si(111) surfaces. A set of the …
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Tunneling spectroscopy of highly ordered organic thin films
In this work, a Au(100) single crystal was used as substrate for organic molecular beam epitaxy. Highly ordered organic thin films of the molecules 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydrid (PTCDA) and hexa-peri-hexabenzo-coronene (HBC) as well as organic-organic heterostructures on …
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Shadow mask assisted heteroepitaxy of compound semiconductor nanostructures
Shadow Mask assisted Molecular Beam Epitaxy (SMMBE) is a technique enabling selected area epitaxy of semiconductor heterostructures through shadow masks. The objective of this work was the development of the SMMBE technique for the reliable fabrication of compound semiconductor nanostructures of …
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